Акцепторная реакция

Cтраница 2

Мы видим согласно ( 59), ( 61) и ( 62а б), что акцепторные реакции ускоряются донорной примесью и затормаживаются акцепторной примесью. [16]

Реакции на полупроводниках разделены на два класса: к одному классу относят реакции, ускоряемые электронами; это акцепторные реакции; второй класс составляют донорные реакции, ускоряемые дырками. [17]

Гарнер, Дауден и Гарсия де ла Банда [38] нашли, что дегидрирование спиртов на окисных полупроводниках - акцепторная реакция. [18]

Очевидно, что с увеличением электронной и уменьшением дырочной проводимости каталитическая активность полупроводника должна возрастать по отношению к акцепторным реакциям и падать по отношению к донорным. [19]

Примесь донорных молекул, сорбирующихся на поверхности катализатора, будет ускорять акцепторные реакции и замедлять донорные; примесь акцепторных молекул будет замедлять акцепторные реакции и ускорять донорные. Этим можно объяснить явление газового промотирования, когда промотор входит в состав реагирующей смеси. [21]

Акцепторные реакции ускоряются полупроводниками n - типа, донорные - полупроводниками р-типа. [22]

Электронная теория предсказывает два вида взаимосвязи между изменением электропроводности полупроводника и изменением его каталитической активности. При акцепторной реакции на п-полу-проводнике ( или донорной реакции на р-полупроводнике) связь между проводимостью полупроводника и его каталитической активностью должна быть прямая. При донорной реакции на п-полупро-воднике ( или акцепторной реакции на / 7-полупроводнике) эта связь обратная. [23]

Противоположностью этой реакции, протекающей с убылью свободной энергии, является каталитическое разложение перекиси водорода. Эта реакция также является акцепторной реакцией [6] и также должна подвергаться действию фотокатализа - полупроводниками. В самом деле, в темноте окись цинка не катализирует ни разложение, ни синтез перекиси водорода. Однако при освещении видимым светом обе реакции начинаются немедленно и протекают по направлению к равновесному состоянию. [24]

Для того чтобы фосфорилирование происходило сопряженно с окислительным процессом, необходимо, чтобы обе реакции имели общий промежуточный продукт. Именно в этом случае станет возможным перенос химической энергии от реакции-донора к акцепторной реакции. [25]

Для La203, наоборот, уровень Ферми наиболее близок к дну зоны проводимости. Для этого окисла прочность донорной формы адсорбции ниже и более характерно протекание акцепторных реакций, изменяющих структуру поверхности вследствие модифицирования центров реакциями гидроксилирования, формиатирования. Указанные в работе закономерности, очевидно, являются общими свойствами окисных адсорбентов и определяют многие каталитические и адсорбционные свойства. [26]

Между каталитической активностью полупроводника и его электропроводностью имеется определенная связь, которая может быть симбатной и антибатной, что зависит от рода полупроводника и типа реакции. Симбатной она является в случае реакций, скорость которых тем больше, чем выше уровень Ферми ( акцепторные реакции), протекающих на полупроводниках с электронной или дырочной проводимостью. Симбатной она будет также и в случае реакций, скорость которых понижается с повышением уровня Ферми ( донорные реакции) и которые протекают на полупроводниках с п - или р-проводимостыо. [27]

Реакция окисления водорода принадлежит, по-видимому ( см. § 6 6), к классу донорных реакций. Реакция H2 D2 - 2HD, судя по многочисленным экспериментальным данным ( см., например, [49, 50]), является, наоборот, типичным примером акцепторной реакции. [28]

Но это составляет только полуэлемент окислительно-восстановительной реакции. Вторую половину составляет акцепторная реакция. Для аэробов акцептором служит кислород. [29]

Радикальный механизм каталитической реакции С2Не - [ - С12 предложенный Волькенштейном. [30]

Страницы: 1 2 3