Вероятность - захват - электрон
Cтраница 1
Вероятность захвата электрона молекулой, определяющая скорость процесса образования отрицательных ионов, характеризуется обычно эффективным сечением захвата, которое зависит от природы вещества и энергии электрона. [1]
Вероятность захвата электрона нейтральной молекулой может быть сравнительно большой, особенно при малой его энергии. Наоборот, вероятность распада отрицательного иона в слабоионизованных газах оказывается малой, так как определяется вероятностью столкновения иона с возбужденной до необходимого колебательного уровня молекулой газа. [2]
Рассмотрены вероятности захвата электрона двухатомными молекулами и образования ионов для различных спиновых конфигураций. В жидкой фазе на процессы захвата электронов молекулами оказывает влияние сольватация электронов и образующихся отрицательных ионов. При захвате молекулой электрона теряется энергия его сольватации, но выигрывается энергия сольватации иона. [3]
Рассмотрены вероятности захвата электрона двухатомными молекулами и образования ионов для различных спиновых конфигураций. [4]
 |
Зависимость тока i от межэлектродного расстояния d для различных значений приведенного поля Xip в фреоне ( пунктирные кривые и О2 ( сплошные кривые. i 0 constbr lo - a [ 169J. [5] |
Чем больше вероятность захвата электрона молекулой, тем при более высоких значениях Х р лежит максимум. [6]
Что касается вероятностей захвата электрона или дырки, определяемых временами тпо или тро, то обычно тро меньше тпо, так как вероятность захвата дырки на отрицательно заряженные глубокие уровни выше, чем вероятность захвата электрона, который на больших расстояниях отталкивается полем центра. [7]
Допустим, что вероятность захвата электрона ловушкой гораздо меньше вероятности его рекомбинации с ионизованным центром. [8]
В этом случае вероятность однократного захвата электронов при перемещении от эмиттера к коллектору мала, тем более мала вероятность двукратного захвата электронов. [9]
 |
Схема прибора Леба и Кра-васа для исследования образования отрицательных ионов в пучке электронов, передвигающихся в газе в равномерном поле от Р к А. [10] |
Для того чтобы определить вероятность захвата электрона при одном соударении, необходимо найти зависимость для р от числа соударений и от направленной и хаотической скоростей электрона. [11]
В слабых электрических полях вероятность захвата электрона дыркой практически изотропна. [12]
С повышением температуры полупроводника вероятность захвата электронов примесными атомами растет ( для отрыва электрона от атома решетки требуется энергия, источником которой служит тепловое колебание) и увеличивается концентрация дырок. Наряду с образованием дырок происходит и обратный процесс. Когда дырка оказывается вблизи примесного атома, захватившего лишний электрон, этот электрон может перейти на пустое место и дырка исчезнет, а примесный атом станет нейтральным. [13]
 |
Схема уровней в жтаэдрическол.| Диаграмма уровней энер - учитывать, кроме ос-гий для конфигурации d ( ион НОВНОГО также воз. [14] |
К-электронов, благодаря чему увеличивается вероятность захвата электрона ядром. [15]
Страницы: 1 2 3 4