Cтраница 3
Что касается самих тпо и тро, то обычно tpo меньше tno, так как вероятность захвата дырки на отрицательно заряженные ловушки выше, чем вероятность захвата электрона, который на больших расстояниях отталкивается центром рекомбинации. [31]
Здесь Ср - произведение концентрации ловушек на вероятность захвата дырки в единицу времени, усредненное по всем состояниям в валентной зоне; Сп - произведение концентрации ловушек на вероятность захвата электрона, усредненное по всем состояниям в зоне проводимости; п0 и р0 - равновесные концентрации электронов и дырок в данном образце; nl и рг - те же величины для случая, когда уровень Ферми совпадает с уровнем энергии центров рекомбинации. Объемное время жизни у большинства образцов германия в области примесной проводимости экспоненциально возрастает с увеличением температуры. Считается, что эта зависимость обусловлена экспоненциальным изменением концентрации носителей в числителе выражения ( 1), в то время как знаменатель в примесной области является постоянной величиной. Пример такого поведения описан Холлом [1]; то же видно и на фиг. [32]
Что касается вероятностей захвата электрона или дырки, определяемых временами тпо или тро, то обычно тро меньше тпо, так как вероятность захвата дырки на отрицательно заряженные глубокие уровни выше, чем вероятность захвата электрона, который на больших расстояниях отталкивается полем центра. [33]
В другой модели люминесценции ( рис. 1.43, в) локализованный уровень расположен немного выше валентной зоны и имеет большую вероятность захвата дырки ( о ро), но вместе с тем имеет и заметную вероятность захвата электронов зоны проводимости. [34]
В то время как бомбардировка пучком высокоэнергетических электронов вызывает появление только возбужденных синглетных молекул, медленные электроны могут образовывать и синглетное, и трип-летное состояния. Поскольку вероятность захвата электрона исходным ионом в газовой фазе мала, доминирующей реакцией образования возбужденных состояний в газе будет прямое воздействие излучения, а в конденсированной фазе - и непосредственное возбуждение, и нейтрализация зарядов. [35]
Разработанная теория захвата электрона так же хорошо согласуется с наблюдаемыми полу пер йодами для этого процесса, как и в обычных случаях ( 3-распадов. Отношение вероятности захвата электрона к вероятности испускания позитрона при заданных двух состояниях ядер, между которыми энергетически возможны эти оба вида переходов, оказывается достаточным для довольно однозначной формулировки теории. По величине этого отношения можно проверить справедливость теории независимо от того, наг сколько хорошо известна структура ядер, поскольку в выражении для отношения вероятностей этих двух процессов матричные элементы ядерных переходов взаимно сокращаются. Наблюдалось несколько случаев, когда захват электрона происходил не с внутренней / С-оболочки, а из другой, более далекой от ядра, оболочки. Так как плотность распределения таких внешних электронов вблизи ядра мала по сравнению с плотностью / С-электрона, то вероятность захвата с этих оболочек значительно меньше вероятности захвата Д - электрона, и этот захват наблюдается лишь в тех случаях, когда энергия связи / С-электро-на настолько велика, что он не может захватиться ядром. [36]
Положение уровня энергии Et указано с плюсом, если Et отсчитывается от Ev, и с минусом, если Е, отсчитывается от Ес. Для сравнения приведена вероятность захвата электронов атомом галлия. [37]
Положение уровня энергии Et указано с плюсом, если Е, отсчитывается от Ev, и с минусом, если Et отсчитывается от Ес. Для сравнения приведена вероятность захвата электронов атомом галлия. [38]
Заметим, что скорость радиоактивного распада путем е - - з & - хвата в отличие от скорости других радиоактивных превращений зависит, хотя и очень слабо, от химического состояния превращающихся атомов. Обусловлено это тем, что вероятность захвата электрона ядром определяется строением не только электронной орбитали, отдающей электрон, но и строением более отдаленных, в том числе и валентных, орбиталей. [39]
Ферми совпадает с уровнем ловушек Ел; & - вероятность захвата электронов ловушками в условиях, когда все ловушки свободны; ff p - вероятность захвата дырок ловушками, полностью занятыми электронами. [40]
Сопротивление барьерного слоя может оказаться существенным для поверхностей с большим числом центров рекомбинации. Анализ прежних данных по изменению контактного потенциала кремния при освещении был проведен в предположении, что вероятность захвата электрона или дырки на поверхности относительно велика и, следовательно, сопротивления барьерного слоя также велики по сравнению с сопротивлениями захвата. Настоящие эксперименты на германии внушают некоторое сомнение н правильности подобной интерпретации, однако для выяснения вопроса необходимы дальнейшие эксперименты. [41]
Реакцию катионной полимеризации чаще проводят при низких температурах, при которых процесс радикальной полимеризации не всегда осуществим. Это объясняется тем, что карбкатионы ненасыщенных соединений с электронодонорными заместителями достаточно устойчивы, и при низкой температуре вероятность захвата электрона первичным ионом становится соизмеримой с вероятностью его столкновения с молекулой мономера. С понижением температуры полимеризации и повышением устойчивости начальных радикалов вероятность протекания реакции катионной полимеризации возрастает. [42]
Примем также во внимание, что электроны, движущиеся в кристалле, могут захватываться анионными вакансиями, образуя / - центры, а последние могут в свою очередь диссоциировать на электроны и анионные вакансии. Введем обозначения: пр - концентрация / - центров в точке х в момент t; о - вероятность захвата электрона при столкновении с анионной вакансией; р - вероятность диссоциации / центра в единицу времени; Df - коэффициент диффузии / - - центров. [43]
Реакцию катионной полимеризации чаще проводят при низких температурах, при которых процесс радикальной полимеризации не всегда осуществим. Это объясняется тем, что карбкатионы ненасыщенных соединений с электронодонорными заместителями достаточно устойчивы, и при низкой температуре вероятность захвата электрона первичным ионом становится соизмеримой с вероятностью его столкновения с молекулой мономера. С понижением температуры полимеризации и повышением устойчивости начальных радикалов вероятность протекания реакции катионной полимеризации возрастает. [44]
Наиболее часто / ( захват наблюдается у тяжелых элементов периодической системы. Это связано с тем, что с увеличением заряда ядра уменьшается радиус орбит / С-слоя и, следовательно, вероятность захвата электрона ядром. [45]