Вероятность - захват - электрон
Cтраница 2
С повышением концентрации серебра увеличивается вероятность захвата электронов его ионами, что сопровождается ростом поглощения в видимой области. Одновременно уменьшается вероятность процесса рекомбинации и соответственно падает интенсивность максимумов термолюминесценции. [16]
Отсюда следует, что коэффициент рекомбинации г есть вероятность захвата электрона в единицу временя при единичной концентрации дырок. [17]
 |
Вторичные лавины в однородном поле. [18] |
Большая подвижность электронов в сильных электрических полях снижает вероятность захвата электронов молекулами газа. Соударение нейтральных молекул и электронов при наличии достаточной энергии последних приводит к ударной ионизации и, таким образом, к увеличению числа электронов. [19]
Отсюда следует, что коэффициент рекомбинации г есть вероятность захвата электрона в единицу времени при единичной концентрации дырок. [20]
Эффективность рекомбинации через примесный центр в первую очередь определяется вероятностью захвата электрона или дырки этим центром. Однако эта вероятность еще не определяет однозначно вероятности рекомбинации. Действительно, захваченный центром электрон ( дырка) имеет две возможности: либо рекомбинировать со свободной дыркой ( электроном), либо быть выброшенным тепловым движением из центра обратно в зону ( последний процесс не рассматривался нами в гл. [21]
Высказанные представления позволяют определить центр светочувствительности как часть кристалла, где имеется максимальная вероятность захвата электронов и выделения атомов серебра. [22]
Аналогично в легированном кристалле р-типа время жизни будет определяться концентрацией центров рекомбинации и вероятностью захвата электрона рекомбинационным центром. Следовательно, величины lA / V / Yp и / Ntyn имеют смысл времен жизни неосновных носителей заряда в легированных полупроводниках. [23]
Получены образцы германия с примесью меди, в которых время жизни неосновных носителей тока обратно пропорционально вероятности захвата электронов верхним акцепторным уровнем меди. Показано, что время жизни экспоненциально уменьшается с увеличением температуры. [24]
Из формулы ( 3) следует, что время жизни неосновных носителей тока обратно пропорционально произведению вероятности захвата электрона на концентрацию незанятых уровней. В исследуемой области температур величина рй мала по сравнению с TV, и вероятность /, для данных образцов постоянна. [25]
А есть величина, зависящая от вероятности столкновения двух электронов, IJL - величина, зависящая от вероятности захвата электрона ионом. Равенство ( 43) показывает, что мы имеем состояние, близкое к локальному термодинамическому равновесию, при / л, малом по сравнению с А, и состояние, близкое к монохроматическому лучистому равновесию, при / л, больших относительно А. Вулли показывает, что А JJL. Это приводит его к выводу, что вплоть до самой границы звезды сохраняется локальное термодинамическое равновесие. [26]
В этом случае вероятность однократного захвата электронов при перемещении от эмиттера к коллектору мала, тем более мала вероятность двукратного захвата электронов. [27]
В этом случае время релаксации неосновных носителей - электронов т о зависит только от Nt и константы уь определяющей вероятность захвата электрона, и также слабо изменяется с температурой. [28]
По мере того как молекулы среды становятся более полярными и поляризуемыми и диэлектрическая проницаемость растет, куло-новские силы уменьшаются и вероятность захвата электрона как в жидких, так и в стеклообразных системах увеличивается. Таким образом, система становится все более сходной с водной, так как электрон в сильно полярных средах может сольватироваться как дискретная частица, сохраняться достаточно долго и реагировать как таковой с добавленными веществами. [29]
 |
Изменение положения уровня Ферми ( о и времени жизни неосновных носителей ( б в зависимости от температуры. [30] |
Страницы: 1 2 3 4