Режим - диффузия
Cтраница 4
Сравнение транзисторов с разной степенью легирования поверхности базы показало, что рекомбинацион-ный ток транзисторов с более высоколегированной поверхностью базы значительно меньше, чем для транзисторов с менее легированной поверхностью. Кроме того, дополнительное легирование поверхности базы несколько уменьшает разброс электрических параметров транзистора, связанных с состоянием поверхности базы, и улучшает шумовые свойства. Это свидетельствует о перспективности использования данного метода для улучшения эксплуатационных параметров микромощных транзисторов. К недостаткам метода следует отнести существенное усложнение технологии производства транзисторов из-за необходимости особо точного Соблюдения режимов диффузии и введения дополнительных операций, связанных с подлегированием базы. [46]
 |
Зависимость обратного времени 5. [47] |
К становится меньше, чем при комнатной температуре, и что составляющая быстрого спада не зависит от температуры и интенсивности возбуждающего света. Однако экспериментальные результаты удовлетворительно объясняются в рамках модели многократных захватов, в которой учитывается тот факт, что после освещения увеличивается плотность мелких и глубоких локализованных состояний. Кроме того, в этой модели пренебрегают диффузионными членами, относящимися к возбужденным носителям, и вероятностью повторного возбуждения носителей с глубоких уровней, так как в пикосекундном режиме диффузии носителей не наблюдается ( рис. 3.6.10), а повторное возбуждение носителей с глубоких локализованных - состояний пренебрежимо мало. [48]
 |
Зависимость распределения концентрации примеси по объему полупроводниковой пластинки. [49] |
Метод диффузии с большим успехом используется как для изготовления транзисторных переходов, так и для изготовления диодов, особенно мощных. Получение переходов с большой площадью путем сплавления оказывается довольно сложным. Для получения высокочастотных германиевых триодов этот метод используется следующим образом. Режим диффузии выбирается таким, чтобы получить достаточно тонкий слой электронного германия на пластинке с дырочной электропроводностью. После этого пластинка с одной стороны сошлифовывается. [50]
Слитки монокристаллов кремния нарезают на плоские заготовки алмазными пилами. Каждая заготовка имеет, как правило, значительно большую площадь, чем это необходимо для изготовления одного прибора. После проведения диффузии и нанесения металлических электродов заготовку разрезают на отдельные пластинки. Однако удельное сопротивление необходимо принимать во внимание при выборе режима диффузии, так как глубина залегания перехода уменьшается со снижением удельного сопротивления исходного материала. [51]
Уравнение ( X, 32) сходно с уравнением ( X, 10), но имеет несколько иной физический смысл. Уравнение ( X, 10) показывает, с какой скоростью может совершаться в стационарном состоянии восстановление катионов на электроде в зависимости от скорости диффузии их. Другими словами, уравнение это показывает зависимость скорости электродной реакции от скорости диффузии ионов к электроду. Но при анодном окислении металла скорость диффузии катионов, перешедших в раствор, не может ограничивать скорость электродной реакции. Изменяя поляризацию, мы тем самым можем изменять скорость процесса IA, не заботясь ( в известных пределах) о режиме диффузии в приэлектродном слое. [52]
Перенос компонентов реакционной смеси внутри гранулы катализатора осуществляется главным образом посредством диффузии. Интенсивность диффузии внутри гранулы зависит от фазового состояния и состава реакционной смеси, физических свойств компонентов, составляющих реакционную смесь, строения пористой структуры катализатора, температуры и давления каталитического процесса. При изучении диффузии внутри пористого катализатора прежде всего необходимо учитывать влияние строения пористой структуры на интенсивность диффузии. Пористость катализатора, равная объему свободного пространства в единице объема пористой массы, определяет долю сечения гранулы катализатора, доступную для диффузии. Извилистость пор характеризует увеличение среднего пути диффузии, относительно длины в направлении, перпендикулярном внешней поверхности гранулы. Размер пор определяет механизм диффузии реагентов внутри пористой массы катализатора, если реакционная смесь является газофазной. При диффузии газов в порах молекулы каждого компонента реакционной смеси испытывают сопротивление своему движению в результате столкновения с молекулами других компонентов и с поверхностью пор. Если размер поры значительно превосходит длину среднего свободного пробега молекул газа, то число взаимных столкновений между молекулами будет значительно больше числа столкновений молекул с поверхностью поры. Если размер пор значительно меньше длины среднего свободного пробега молекул газа, то молекулы сталкиваются преимущественно со стенками пор и каждая молекула двигается независимо от остальных. Такая диффузия называется кнудсеновской. В случае, когда длина среднего свободного пробега молекул газа соизмерима с размером пор, имеет место переходный режим диффузии. На режим диффузии жидкостей размер пор не оказывает влияния пока не становится соизмеримым с размером молекул жидкости. [53]
Страницы: 1 2 3 4