Режим - диффузия
Cтраница 3
Вычислять величину fD следует, учитывая специфику диффузионных процессов. Как уже отмечалось, при диффузии растворов электролитов ионы электролита перемещаются в одном общем направлении и, когда режим диффузии установится, с одинаковой скоростью. Таким образом, ионы противоположного знака и значительной степени теряют индивидуальность движения, присущую им в равновесном растворе и сохраняемую при прохождении через растворы электрического тока. Потеря ионами способности к независимому перемещению эквивалентна до некоторой степени образованию ионных пар или более сложных ионных комплексов. Представление об ионных парах используется обычно при рассмотрении свойств электролитов в области высоких концентраций. Оно не распространяется на область разбавленных растворов, где поведение электролитов удовлетворительно описывается на основе представлений Дебая и Гюккеля - об ионной атмосфере. Однако в случае диффузии электролитов, когда центральны. Ионная атмосфера отождествляется при этом с частицей, расположенной на указанном расстоянии от центрального иона, перемещающейся вместе с ним в направлении процесса диффузии и имеющей заряд, обратный по знаку и равный по величине его заряду. [31]
Как было показано в работе Им-шенника и Надежина ( 1972) [7], нейтрино покидает протонейтронное ядро в режиме диффузии с характерным временем выхода порядка 10 сек. Таким образом, оказалось, что излучение нейтрино не способно поддерживать интенсивность ударной волны, которая появляется при рождении протонейтронной звезды. В статье Надежина ( 1977) [9] был проведен численный эксперимент по сжатию железного ядра с массой 2М0 и 10М0 с учетом всех физических процессов в звездной материи. В этом эксперименте эффект сброса оболочки не наблюдался, а сверхновая превращалась в черную дыру. [32]
 |
Схема процесса диффузии. [33] |
Вычислять величину fo следует, учитывая специфику диффузионных процессов. Как уже отмечалось, при диффузии растворов электролитов ионы электролита - перемещаются в одном общем направлении и, когда режим диффузии устано вится, с одинаковой скоростью. Таким образом, ионы противоположного знака в значительной степени теряют индивидуальность движения, присущую им в равновесном растворе и сохраняемую при прохождении через растворы электрического тока. Потеря ионами способности к независимому перемещению эквивалентна до некоторой степени образованию ионных пар или более сложных ион: ных комплексов. Представление об ионных парах используется обычно при рассмотрении свойств электролитов в области высоких концентраций. Оно не распространяется на область разбавленных растворов, где поведение электролитов удовлетворительно описывается на основе представлений Дебая и Гюккеля об ионной атмосфере. Ионная атмосфера отождествляется при этом с частицей, расположенной на указанном расстоянии от центрального иона, перемещающейся вместе с ним в направлении процесса диффузии и имеющей заряд, обратный по знаку и равный по величине его заряду. [34]
Коэффициент диффузии в порах равен или меньше коэффициента диффузии в неподвижной газовой среде того же состава. Последнее ( меньше) относится к случаю, когда диаметр пор меньше длины свободного пробега, так что реализуется кнудсенов-ский режим диффузии. [35]
Кроме того, движение пузырей вдоль осей вращения сопровождается сильным перемешиванием и интенсивным образованием 56Ni, которое наблюдается при сбросе оболочек сверхновых. Так как в основном эволюция пузырей происходит при плотностях р 1012 г / см3, где нейтрино переносятся в режиме диффузии, то нет необходимости учитывать эффекты их переноса при развитии крупномасштабной неустойчивости. Но по мере того, как пузырь приближается к нейтриносфере ( р 1012 г / см3), эти эффекты становятся существенными и ведут к изменению в спектре излучаемых нейтрино. [36]
В качестве конкретного примера использования уравнения (17.11) рассмотрим эффект Кнудсена для стационарного состояния сосудов с разреженными идеальными газами разной температуры и с малым отверстием между ними. Малость отверстия в данном случае означает, что молекулы гораздо чаще сталкиваются со стенками отверстия, чем друг с другом, т.е. реализуется режим кнуд-сеновской диффузии. [37]
Опыты проводят на заготовках кремния с допустимым разбросом значений удельного сопротивления. Измерения свойств переходов производят при различных температурах и времени диффузии. Режим диффузии фосфора подбирают на заготовках дырочной, а бора - электронной проводимости. [38]
Компоненты растворяют в 100 мл о-ксилола и полученный светочувствительный состав наносят на подложку центрифугированием, сушат при 60 С, облучают через диапозитив лампой ДРШ-250, засвечивают и проявляют ксилолом или уайт-спиритом. Диффузию проводят при 1300 С в течение 4 ч на воздухе в пластины p - Si с удельным объемным электрическим сопротивлением р 50 Ом см. Полученный р - - переход имеет вольт-амперную характеристику, близкую к теоретической, и время жизни 10 мкс. Поверхностная концентрация 1015 - 1018 атом / см3 зависит от концентрации ароматического азида и режима диффузии [ а. Подобные же азидсодержащие элементорганиче-ские композиции описаны для селективного легирования полупроводниковых пластин мышьяком [ а. Диффузию из фоторезиста в этом случае проводят на воздухе при 1250 С, полученные р-п переходы также имеют время жизни неосновных носителей порядка 8 - 10 мкс. [39]
Компоненты растворяют в 100 мл о-ксилола и полученный светочувствительный состав наносят на подложку центрифугированием, сушат при 60 С, облучают через диапозитив лампой ДРШ-250, засвечивают и проявляют ксилолом или уайт-спиритом. Диффузию проводят при 1300 С в течение 4 ч на воздухе в пластины p - Si с удельным объемным электрическим сопротивлением р 50 Ом см. Полученный р - n - переход имеет вольт-амперную характеристику, близкую к теоретической, и время жизни 10 мкс. Поверхностная концентрация 1015 - 1018 атом / см3 зависит от концентрации ароматического азида и режима диффузии [ а. Подобные же азидсодержащие элементорганиче-ские композиции описаны для селективного легирования полупроводниковых пластин мышьяком [ а. Диффузию из фоторезиста в этом случае проводят на воздухе при 1250 С, полученные р-п переходы также имеют время жизни неосновных носителей порядка 8 - 10 мкс. [40]
Другими словами, уравнение это показывает зависимость скорости электродной реакции от скорости диффузии ионов к электроду. Но при анодном окислении металла скорость диффузии катионов, перешедших в раствор, не может ограничивать скорость электродной реакции. Изменяя поляризацию, мы тем самым можем изменять скорость процесса / А, не заботясь ( в известных пределах) о режиме диффузии в приэлектродном слое. [41]
Другими словами, уравнение это показывает зависимость скорости электродной реакции от скорости диффузии ионов к электроду. Но при анодном окислении металла скорость диффузии катионов, перешедших в раствор, не может ограничивать скорость электродной реакции. Изменяя поляризацию, мы тем самым можем изменять скорость процесса t A, не заботясь ( в известных пределах) о режиме диффузии в приэлектродном слое. [42]
Коэффициент, взаимодиффузии в таких сплавах сильно зависит от концентрации неравновесных вакансий, которая, как отмечалось, параметрически связана с условиями проведения опыта. В итоге, например, следуя выводам теории, рост электродного потенциала ( или поляризации) должен способствовать более быстрому переходу кинетики СР сила-вов в режим твердофазной диффузии. [43]
Как показано на фиг. Монокристалл такого кремния нарезают на заготовки, которые затем шлифуют до толщины - 0 25 мм. Для установления режима диффузии проверяют удельное сопротивление каждой заготовки. [44]
Паразитные емкости можно уменьшить, используя метод ионного легирования или изготовлением МДП структур с кремниевыми затворами, которые обеспечивают самосовмещение и уменьшают перекрытие между областью затвора и областями стока и истока. Как показано на рис. 18 - 3, канал в этих приборах представляет собой узкую область, заключенную между двумя областями противоположного типа проводимости. Эта область создается последовательной диффузией двух легирующих примесей разного типа проводимости под край одного отверстия в маскирующей пленке окисла, вытравленного над областью истс / ка. Как только край этого отверстия создан, самая ответственная величина L является функцией только режимов диффузии. Ошибки маскирования, экспозиции и травления исключаются. Поскольку граница одной диффузионной области повторяет границу другой, величина L определяется по существу теми же факторами, что и толщи-па базовой област-ц в биполярном транзисторе. [45]
Страницы: 1 2 3 4