Режим - насыщение - транзистор
Cтраница 1
Режим насыщения транзистора характеризуется малым падением напряжения на р-п переходах, так как они смещены в прямом направлении. [1]
Чтобы обеспечить режим насыщения транзистора, его ток базы / Б выбирается больше критического значения тока базы. [2]
Для исключения режима насыщения транзисторов необходимо ограничить входное напряжение. Следовательно, не посредственное последовательное соединение переключателей тока для полного исключения режима насыщения недопустимо и нужны дополнительные согласующие схемы, предотвращающие режим насыщения, - схемы смещения уровня. [3]
Этот режим называется режимом насыщения транзистора. [4]
Этот режим называется режимом насыщения транзистора. Коллекторный ток, соответствующий этому режиму, называется током насыщения / к. В режиме насыщения внут-ренее сопротивление транзистора уменьшается почти до нуля, так что все напряжение источника Ек оказывается почти целиком приложенным к RK ( резистор как бы накоротко соединяется с землей) и на выходе устанавливается потенциал, близкий к нулю. [5]
В схеме с ОЭ режим насыщения транзистора реализуется либо увеличением тока на входе при заданном напряжении питания на коллекторе и сопротивлении нагрузки, либо при заданном токе на входе увеличением сопротивления нагрузки или уменьшением напряжения питания. [6]
Величина сопротивления RK должна обеспечить режим насыщения транзистора при минимальном коэффициенте усиления, и в то же время максимальный ток коллектора транзистора не должен превышать предельно допустимого. [7]
Для того чтобы был обеспечен режим насыщения транзистора Qz, напряжение на его коллекторе должно быть равно напряжению на эмиттере или положительно относительно него. [8]
Для нормальной работы ключа необходимо обеспечить режим насыщения транзистора во всем интервале рабочих температур и при наихудшем сочетании параметров. [9]
На коллекторе сохраняется положительное напряжение, и режим насыщения транзистора не наступает. [10]
Этим же током открывается и переходит в режим насыщения транзистора VT2, причем напряжение на его коллекторе уменьшается почти до нуля, что соответствует логическому 0 на выходе схемы. [11]
Для увеличения перепада выходного напряжения в переключающих схемах в состоянии открыт обычно используют режим насыщения транзистора. [12]
 |
Принципиальная схема элемента ЭСЛ.| Схемы асинхронных Д5 - триггеров. [13] |
Кроме того, эмиттерные повторители снижают входное напряжение с 5 до 4 2 В, что необходимо для предотвращения режима насыщения транзисторов следующей логической ступени. [14]
Здесь и далее все величины с индексом о относятся к ре-жи му отсечки и с индексом н - к режиму насыщения соответствующего транзистора. [15]
Страницы: 1 2 3