Режим - насыщение - транзистор
Cтраница 2
 |
Базовый элемент ТТЛ со сложным инвертором.| Передаточные характеристики простого ТТЛ-элемента ( а и ТТЛ-элемента с корректирующей цепочкой ( б. ип. и 3 uSx. [16] |
Обычно напряжение на смещенном в прямом направлении 0-л-переходе равно 0 7 В, а напряжение коллектор - эмиттер в режиме насыщения транзистора составляет 0 3 В. [17]
Управление ключом производится путем подачи в базовую цепь транзистора прямоугольных импульсов напряжения и6 ( рис. 9.18 6), которые обеспечивают режим насыщения транзистора на интервале времени О - нГр При этом токи коллектора / к и отклоняющей катушки; , нарастают практически по линейному закону. В момент f ] токопрохождение через ключ прекращается и в контуре LC начинается колебательный процесс. [18]
Для структуры на рис 7.20 наибольший заряд неосновных неравновесных носителей ( дырок) накапливается в высокоомном эмиттер-ном слое 2 вследствие инжекции дырок из базовой области в режиме насыщения переключательного транзистора. Режим предельного быстродействия, в котором достигается наименьшая средняя задержка ( граница участков / и / / на рис. 7.27), представляет наибольший практический интерес, так как он применяется в большинстве цифровых устройств. Низкое быстродействие ЛЭ со структурой, показанной на рис. 7.20, является его главным недостатком. [19]
 |
Модифицированная схема включения эмиттерного повторителя.| Симметричная схема мультивибратора с дополнительными элементами, обеспечивающими мягкий режим самовозбуждения. [20] |
Характерной особенностью работы симметричного мультивибратора с емкостными связями является высокая стабильность амплитуды генерируемых импульсов, высокий коэффициент использования напряжения питания, а также малое выходное сопротивление при обеспечении режима насыщения транзисторов. [21]
 |
Выходные характеристики. [22] |
Недостатком преобразователей, изображенных на рис. и 5, является наличие зоны нечувствительности ( рис. 9), которая определяется напряжением источников запирания и минимальным напряжением необходимым для обеспечения режима насыщения транзистора. [23]
При помощи сопротивления Ri составной транзистор быстро и надежно запирается, соответственно уменьшается мощность потерь регулирующего транзистора в непроводящем и переходном режимах. Сопротивление R обеспечивает режим насыщения транзистора ЯЯн, а соответственно уменьшение мощности потерь в режиме, когда ЯЯп открыт. [24]
 |
Логическое звено типа И-НЕ на транзисторах.| Логическое звено типа НЕ. [25] |
На рис. 8.9, а приведена схема логического звена, выполненная на полупроводниковых триодах. Напомним, что в режиме насыщения транзистора напряжение на его коллекторе практически равно нулю, и можно считать, что потенциал его базы и потенциал коллектора равны потенциалу эмиттера. Это свойство транзистора, особенно важное в ключевых схемах, позволяет реализовать логические схемы на транзисторах. [26]
Сопротивление цепи база - эмиттер R6 ь открытого транзистора значительно меньше сопротивления R5 и им можно пренебречь. Пример расчета сопротивления R6 для режима насыщения транзистора будет дан при расчете схемы мультивибратора. [27]
Транзистор Г выходит из состояния насыщения раньше, цепь его обратной связи замыкается, но из-за малого сопротивления еще насыщенного транзистора ТВ лавинообразный процесс запирания транзистора Тп развивается медленно. Тем не менее он протекает и ускоряет процесс выхода из режима насыщения транзистора Тн. Минимально возможная длительность импульса системы при этом уменьшается. Обратный лавинообразный процесс в системе из-за наличия транзистора Тв также ускоряется, а длительность среза вершины импульса уменьшается. [28]
Наличие проводимости р - - переходов при обратных напряжениях на них определяет максимально возможную в данной схеме длительность паузы между импульсами и приводит к появлению существ, зависимости длительности паузы от темп-ры окружающей среды. В типовой схеме с транзистором часть времени формирования вершины импульса протекает в режиме насыщения транзистора. Если при этом длительность импульса сравнима с временем жизни неосновных носителей в базе транзистора, то она будет определяться не только величинами элементов схемы и видом вольтамнерных хар-к транзистора, но будет существенно зависеть от характера протекания процесса рассасывания неосновных носителей в его базе, связанного с временем жизни этих носителей. Диффузионный характер движения носителей заряда от эмиттера к коллектору приводит к дополнительному замедлению процессов формирования фронтов импульсов. [29]
Наличие проводимости р - - переходов при обратных напряжениях на них определяет максимально возможную в данной схеме длительность паузы между импульсами и приводит к появлению существ, зависимости длительности паузы от темп-ры окружающей среды. В типовой схеме с транзистором часть времени формирования вершины импульса протекает в режиме насыщения транзистора. Если при этом длительность импульса сравнима с временем жизни неосновных носителей в базе транзистора, то она будет определяться не только величинами элементов схемы и видом вольтамперных хар-к транзистора, но будет существенно зависеть от характера протекания процесса рассасывания неосновных носителей в его базе, связанного с временем жизни этих носителей. Диффузионный характер движения носителей заряда от эмиттера к коллектору приводит к дополнительному замедлению процессов формирования фронтов импульсов. [30]
Страницы: 1 2 3