Режим - насыщение - транзистор
Cтраница 3
Транзисторы в схеме работают в насыщенном режиме и в режиме, активном при малых токах на выходе. На базу поступает сигнал нулевого уровня, соответствующий напряжению ниже порога отпирания, или сигнал единичного уровня, соответствующий режиму насыщения транзистора. [31]
 |
Зависимость а от температуры для транзисторов со сплавленным и тянутым переходами. [32] |
Полные сопротивления при насыщении также больше, чем для сплавных переходов, а минимальное падение напряжения на участке эмиттер-коллектор составляет 0 1 - 0 5 в при токе коллектора 5 ма в режиме насыщения транзистора. Плоскостной транзистор с тянутым переходом, полученный добавлением примесей к расплаву германия во время выращивания кристалла, имеет существенно меньший рабочий диапазон температур по сравнению с другими типами транзисторов. Коэффициент усиления по току а возрастает с ростом температуры, и может стать больше единицы уже при температуре 55 С. В некоторых схемах это иногда влияет на устойчивость работы. На рис. 8 - 11 приведен график зависимости коэффициента а от температуры для плоскостных транзисторов различных типов. [33]
Если коллектор и эмиттер поменять ролями, то тогда интересующим нас коэффициентом усиления по току а будет так называемый обратный а, определяемый дырками, которые инжектируются и переносятся справа налево. Если этот наклон поддерживается постоянным, то ток направлен слева направо даже в том случае, когда на коллектор подано прямое смещение ( режим насыщения транзистора), а концентрация неосновных носителей в базе около коллектора не равна нулю. [34]
Операционный усилитель является устройством, которое можно широко использовать в электронной аппаратуре, в частности, в аппаратуре связи. ОУ относится к линейным усилителям. При значениях U, при которых UBbix KUBx E, произойдет ограничение выходного сигнала по максимуму и возникнут нелинейные искажения. В, возникает опасность попадания в режим насыщения транзисторов ОУ, что также приведет к ограничению и нелинейным искажениям. [35]
 |
Схемы триггеров на. [36] |
Схема рис. 4.18 а не имеет лампового аналога, так как при непосредственном соединении анодов сеток ламп возможно только одно устойчивое состояние схемы, когда обе лампы открыты. Напряжение Ык2 целиком прикладывается к базе транзистора 7 и, хотя это напряжение является отпирающим для 7, оно слишком мало, чтобы вызвать сколько-нибудь заметный коллекторный ток. При подаче на базу транзистора TI запускающего импульса отрицательной полярности схема опрокидывается: транзистор Tz запирается, a TI переходит в состояние насыщения. Наличие двух устойчивых состояний объясняется устойчивостью и инерционностью режима насыщения транзистора, из которого его можно вывести только лишь мощным и длительным воздействием. [37]
Диод Дй позволяет исключить, так называемый, триггерный режим, который свойственен некоторым схемам стабилизации. Так, при отсутствии диода эмиттер транзистора Та находится на шине выходного напряжения. При включении выпрямителя транзистор Т3 может оказаться насыщенным; напряжение примерно - 0 1 в попадает на базу открытого транзистора Г2, а напряжение 0 2 в на эмиттере Т2 и базе Т1 оказывается достаточным для запирания проходного транзистора 7, и, таким образом, на выходе стабилизатора напряжение равно нулю вместо ожидаемых - 27 в. Цепь источника опорного напряжения ( Д818Е) и дифференциальный каскад не успевает включиться. В том, что такая нежелательная последовательность срабатывания узлов вероятна, легко убедиться при наладке стабилизаторов, подобных рассматриваемому. Диод ( Д8) исключает режим насыщения транзистора Т3, а следовательно, и устойчивое состояние стабилизатора с нулевым напряжением на выходе. [38]
Страницы: 1 2 3