Активный режим

Cтраница 1

Активный режим предназначен для оперативного контроля за изменением эксплуатационных параметров и диагностирования объекта в реальном масштабе времени. Периодически проводится полный опрос эксплуатационных параметров, и в случае выявления отклонения выдается диагностическое сообщение. [1]

Активный режим получается при напряжениях прямом на эмиттерном и обратном на коллекторном переходах. [2]

Материальный баланс открытой иловой карты. [3]

Активный режим предполагает использование в данном сооружении какого-либо способа переработки отходов. [4]

Статические характеристики идеализированного транзистора. [5]

Активный режим является основным в усилительной технике и будет подробно изучен в последующих параграфах. Режим насыщения характерен для ключевых импульсных схем и будет рассмотрен в гл. [6]

Активный режим имеет место при смещении эмиттерного перехода в прямом направлении, а коллекторного - в обратном. [7]

Активный режим является основным для усилительных схем. Режим насыщения характерен для импульсных схем, в которых транзистор работает в ключевом режиме. [8]

Схемы включения биполярных транзисторов. [9]

Активный режим используется при усилении слабых сигналов. В этом режиме напряжение внешнего источника к эмиттерному переходу включается в прямом, а к коллекторному - в обратном направлении. Эмиттер инжектирует в область базы неосновные для нее носители заряда, а коллектор производит их экстракцию ( выведение) из базовой области. [10]

Активный режим получается при напряжениях прямом на эмиттерном и обратном на коллекторном переходах. [11]

Активный режим является основным и используется в большинстве усилителей. [12]

Применение активных режимов в процессах осаждения и центрифугирования имеет много общего с процессами фильтрования, на которых остановимся более подробно. [13]

Для нормального активного режима выходные характеристики представляют собой семейство параллельных прямых. [14]

В активном режиме прямое смещение эмиттерного перехода создается за счет включения постоянного источника питания 1 / ЭБ, а обратное смещение коллекторного перехода - за счет включения источника t / KB. Величина 11ЭБ имеет небольшое значение, близкое к высоте потенциального барьера, и составляет доли вольт. Величина t / KB на порядок больше С / ЭБ и ограничивается напряжением пробоя коллекторного перехода. При включении источников питания 1 / ЭБ и 1 / КБ потенциальный барьер эмиттерного перехода снижается за счет С / Эв а потенциальный барьер коллекторного перехода повышается за счет 1 / КБ. Дырки эмиттера легко преодолевают понизившийся потенциальный барьер и за счет диффузии инжектируются в базу, а электроны базы - в эмиттер. Дырки эмиттера диффундируют в базе в направлении к коллекторному переходу за счет перепада плотности дырок по длине базы, большинство из них доходит до коллекторного перехода, а незначительная часть рекомбинирует с электронами базы. Для уменьшения потерь дырок на рекомбинацию базу делают тонкой. Распространяясь вдоль коллектора за счет перепада плотности вдоль коллектора, дырки достигают контакта коллектора и рекомбинируют с электронами, подходящими к выводу от источника. [15]

Страницы: 1 2 3 4