Активный режим

Cтраница 4

Статические параметры активного режима в основном характеризуют степень влияния входной цепи транзистора ( эмиттерной, базовой) на выходную. [46]

На этапе активного режима определены величины пробивных напряжений транзистора, работающего в генераторе гармонических колебаний. Рассмотрены случаи обычного критического и однотакт-ного ключевого режимов, при этом для критического режима величина напряжения пробоя определяется на ЭАВМ. [47]

Статические параметры активного режима в основном характеризуют степень влияния входной цепи транзистора ( эмиттерной, базовой) на выходную. [48]

Практически в активном режиме при не слишком больших уровнях инжекции а мало меняется при изменении эмиттерного тока. [49]

Поскольку в активном режиме токи / э и / к почти одинаковы, а напряжение UK значительно больше, чем Ua, то основная часть мощности потерь выделяется в области коллекторного перехода. Каждый транзистор характеризуется предельно допустимой температурой перехода, при превышении которой параметры резко ухудшаются. [50]

Поскольку в активном режиме токи / э и / к почти одинаковы, а апряжение UK значительно больше, чем 1 / э, то основная часть мощ-ости потерь выделяется в области коллекторного перехода. Каждый ранзистор характеризуется предельно допустимой температурой ерехода, при превышении которой параметры резко ухудшаются. [51]

Временная диаграмма начальной стадии работы ДСП ( включение по сигналу RESET.| Временная диаграмма работы АСП в пассивном режиме. [52]

Для перехода в активный режим сопроцессор должен установить момент начала выполнения действий, определенных командой ESC. Для этого он начинает анализировать код состояния очереди команд ЦП по линиям QS1, QSO. Как только появляется код QS1 QSO 01, соответствующий первому байту команды, и этот байт содержит код ESC 11011, сопроцессор переходит в активный режим. [53]

Страницы: 1 2 3 4