Активный режим
Cтраница 2
В активном режиме к эмиттерному переходу подключено прямое напряжение и, следовательно, входное сопротивление транзистора мало, напряжение на коллекторном переходе обратное и выходное сопротивление транзистора велико. Таким образом, осуществление режима холостого хода на входе транзистора и режима короткого замыкания на его выходе, что требуется для измерения Л - параметров, наиболее удобно. [16]
 |
Схема замещения полевого транзистора с у-параметрами.| Физические эквивалентные схемы транзистора с управляющим. [17] |
В активном режиме характеристика вследствие обратной связи по напряжению смещается, что на эквивалентной схеме ( положение ключа 1) отображено эквивалентным генератором [ 7КБ / ркэ. [18]
В активном режиме токи коллектора и эмиттера ( см. рис. 4.1) почти одинаковы, а их разность равна току базы. Коллекторный ток практически не зависит от напряжения на коллекторном переходе, поскольку при любом обратном напряжении все электроны, достигающие в базе коллекторного перехода, попадают в его ускоряющее поле и уносятся в коллектор. Поэтому дифференциальное сопротивление коллекторного перехода гк d ( 7Kr / rf / K очень велико, что характерно для р-л-переходов, включенных в обратном направлении. [19]
В активном режиме, кратко рассмотренном выше, напряжение на эмит-терном переходе прямое, а на коллекторном - обратное. В режиме насыщения оба перехода включены в прямом направлении, а в режиме отсечки - в обратном. В инверсном режиме напряжение на коллекторном переходе прямое, а на эмиттерном - обратное. [20]
В активном режиме обратная связь в основном обусловлена рассмотренным выше ( см. § 4.4) эффектом Эрли и поясняется рис. 4.14, на котором показаны распределения концентраций электронов в базе при двух значениях обратного напряжения на коллекторном переходе и, следовательно, разных толщинах этого перехода и базы. Оба распределения соответствуют одному и тому же значению эмиттерного тока: при увеличении напряжения / КБ от t / KBi до t / квз граничная концентрация электронов ЛГР уменьшается. [21]
В активном режиме к эмиттерному переходу подключено прямое напряжение и, следовательно, входное сопротивление транзистора мало, напряжение на коллекторном переходе обратное и выходное сопротивление транзистора велико. Таким образом, осуществление режима холостого хода на входе транзистора и режима короткого замыкания на его выходе, что требуется для измерения Л - параметров, наиболее удобно. [22]
 |
Схема замещения полевого транзистора с у-параметрами.| Физические эквивалентные схемы транзистора с управляющим. [23] |
В активном режиме характеристика вследствие обратной связи по напряжению смещается, что на эквивалентной схеме ( положение ключа 1) отображено эквивалентным генератором [ 7КБ / ркэ. [24]
 |
Динамическая характеристика ( а и линия нагрузки ( б транзистора, включенного по схеме с ОЭ. режимы работы транзистора ( в. [25] |
В активном режиме эмиттерный электронно-дырочный переход открыт, коллекторный электронно-дырочный переход закрыт. Если увеличивать ток базы до тех пор, пока рабочая точка не сместится на нелинейный участок выходной характеристики ( точка D на рис. 3.35, б), то транзистор перейдет в режим насыщения, характерный тем, что ток коллектора перестает увеличиваться с увеличением тока базы. При этом коллекторный переход открывается, эмиттер и коллектор инжектируют неосновные носители тока в базу. [26]
В активном режиме транзисторы используют для усиления электрических сигналов с минимальными искажениями формы. Под действием напряжения эмиттер - база 11эъ основные носители заряда эмиттера ( дырки) преодолевают эмиттерный переход. Навстречу им диффундирует значительно меньшее количество основных носителей базы ( электронов), поскольку концентрация примеси в базе намного меньше, чем в эмиттере. Часть дырок эмиттера рекомби-нирует с электронами вблизи перехода Я /, а остальные инжектируются ( впрыскиваются) в базовую область. [27]
 |
Зоны обзора в вертикальной ( а и горизонтальной ( б плоскостях и. [28] |
В активном режиме наземная РЛС с ответчиком работает как запросчик. Самолетный ответчик принимает сигнал и в кодированном виде на другой частоте излучает ответный сигнал. Координаты цели определяются так же, как и в пассивном режиме РЛС. [29]
В активном режиме прямое смещение эмиттерного перехода создается за счет включения постоянного источника питания U3E, a обратное смещение коллекторного перехода - за счет включения источника икБ - Величина U3e имеет небольшое значение, близкое к высоте потенциального барьера, и составляет доли вольт. Величина UKB на порядок больше ЦЭБ и ограничивается напряжением пробоя коллекторного перехода. [30]
Страницы: 1 2 3 4