Вершина - валентная зона
Cтраница 1
 |
Схематическая зависимость типичного спектра с интегрированием по углам для. [1] |
Вершина валентной зоны соответствует Vsv. Ферми - VSF - Как показано на рис. 8.12, I / so и Vsv могут быть с разумной точностью идентифицированы из спектров фотоэлектронов. [2]
Эф - эффективная энергия вершины валентной зоны, a Nc и Nv взяты для недеформированного полупроводника. [3]
Нуль шкалы энергий выбран у вершины валентной зоны, a E s является непрямой энергетической щелью. [4]
Поэтому в полупроводниках, где вершина валентной зоны занята дырками, возможны три типа переходов, связанных с поглощением фотонов. На рис. 9.5 они изображены стрелками а, Ъ, с. Для таких прямых переходов выполняются правила отбора. [5]
Прямые переходы преобладают, когда вершине валентной зоны соответствует такое же значение k, что и дну зоны проводимости, как изображено на фиг. Этот случай соответствует таким полупроводникам, как арсенид галлия ( GaAs) и антимонид индия ( InSb), а для Si и Ge примерный вид энергетической диаграммы показан на фиг. Если частота излучения лежит в пределах в0 ш а, переходы происходят только с изменением k между начальным и конечным состояниями. Для случая ш л; оо возможный переход показан стрелкой на фиг. [6]
Прямые переходы преобладают, когда вершине валентной зоны соответствует - такое же значение k, что и дну зоны проводимости, как изображено на фиг. Этот случай соответствует таким полупроводникам, как арсенид галлия ( GaAs) и антимонид индия ( InSb), а для Si и Ge примерный вид энергетической диаграммы показан на фиг. Если частота излучения лежит в пределах со0 ш & 0, переходы происходят только с изменением k между начальным и конечным состояниями. Для случая о л; юо возможный переход показан стрелкой на фиг. [7]
Франк Херман и Иосиф Каллавэй расчитали, что вершина валентной зоны в Ge находится в центре зоны Бриллюэна и трижды вырождена ( шестикратно вырождена при учете спина), соответствуя связывающим р-орбиталям на атомах Ge. [8]
За счет внутренней энергии кристалла какие-то электроны, находившиеся вблизи вершины валентной зоны, могут совершить квантовые скачки из валентной зоны в зону проводимости. [9]
Если это так, то должна существовать зона, отделенная от вершины валентной зоны зазором в 0 1 эв. [10]
Спин-отщепленная или более низкая зона в Ge расположена на 0 ЗОэВ ниже вершины валентной зоны. [11]
Эти кривые показывают, что энергетический зазор, соответствующий прямому переходу из вершины валентной зоны в минимум зоны проводимости при k ( 0 0 0), уменьшается с ростом концентрации примеси. [12]
В заключение заметим, что измерения энергий уровней остова по отношению к вершине валентной зоны могут быть очень полезны при определении разрывов валентных зон в полупроводниковых гетеропереходах ( см. гл. [13]
В узкозонных полупроводниках А3 В5 со структурой цинковой обманки дно зоны проводимости и вершина валентной зоны расположены в точке Г зоны Бриллюэна. [14]
Ее - энергия фотоэлектронов, измеренная по отношению к уровню Ферми, или к вершине валентной зоны, или к уровню вакуума. Энергия в аргументах TVy и Р должна, конечно, измеряться по отношению к одному и тому же началу отсчета. [15]
Страницы: 1 2 3 4