Вершина - валентная зона
Cтраница 3
Тетрагональное сжатие решетки ZnGeP2 незначительно. Вычисленная величина кристаллического расщепления вершины валентной зоны Дкр [44] достигает порядка сотых долей электронвольт. [31]
Почти вырожденная зона является моделью вершины валентной зоны во многих полупроводниках со структурой алмаза, цинковой обманки и вюрцита. [32]
В работе [1211] было показано, что в квантовых ямах в системе GaAs - Ga. Это свизано со снитием вырождения в вершине валентной зоны за счет потенциала ямы. [33]
 |
Зонная структура кристалла КС1 ( расчет Линари, Кунца, 1971. [34] |
На рис. 4.3 показана его зонная структура, рассчитанная методом Хартри - Фока, а на рис. 4.4 приводится схема энергетических уровней, полученная с учетом имеющихся экспериментальных данных. Дно зоны проводимости ( состояние s - типа) и вершина валентной зоны ( состояние р-типа) находятся в точке Г, дно верхней валентной зоны - в точке L. В точке Г три валентные р-зоны слипаются, в точках X и L вырождение частично снимается. [35]
Дно зоны проводимости у всех рассматриваемых соединений расположено в центре зоны Бриллюэна и отвечает представлению А. Анализ волновых функций, отвечающих дну зоны проводимости А и вершине валентной зоны ( уровни Г4 и А), показывает, что основной вклад в них дают плоские волны с векторами обратной решетки сфалерита. Отсюда следует, что уровни происходят из точки Г - сфалерита. Для случая ZnSnP2, ZnSnAs2 и ZnGeAs2 подобный вывод сделан в работах [48-50], где приведены вычисления структуры границ зон указанных соединений по теории возмущений. Показано, что уровни Г4 и А. Аз сфалерита и А отвечает дну зоны проводимости сфалерита ( типа GaAs) - А. [36]
В качестве примера на рис. 8.25 приведены результаты, полученные многими исследователями с помощью прямой фотоэмиссии от с ( 2 х 8) ( 111) поверхности Ge, построенные в зоне Бриллюэна нереконструктированной поверхности. Обращает на себя внимание то, что все заполненные поверхностные зоны лежат ниже вершины валентной зоны и таким образом являются поверхностными резонансами. [37]
Наличие взаимосвязи между электрическими свойствами, составом и микроструктурой пленок CdSe обусловливает зависимость их электрических свойств от метода получения и параметров процесса осаждения. Атомы Se создают в запрещенной зоне глубокие акцепторные уровни ( на расстоянии - 0 6 эВ от вершины валентной зоны), поэтому пленки не могут обладать проводимостью р-типа. [38]
Полупроводники любой степени очистки содержат всегда примесные атомы, создающие свои собственные энергетические уровни, получившие название примесных уровней. Они могут располагаться как в разрешенной, так и в запрещенной зонах полупроводника на различных расстояниях от вершины валентной зоны и дна зоны проводимости. В ряде случаев примеси вводят сознательно для придания полупроводнику необходимых свойств. [39]
 |
Теплоты адсорбции СО иг поликристэллических переходных металлах. [40] |
Диэлектрики, в том числе многие оксиды, галогениды и другие соединения, имеют широкую запрещенную зону. Орбитали катионов формируют акцепторные состояния, лежащие ниже дна зоны проводимости, а анионов - донорные состояния над вершиной валентной зоны. Первые способны принимать электроны от моле - Очкул субстрата, вторые - отдавать их. Тем самым поверхностные ч ионы вступают в донорно-акцепторное взаимодействие с адсорби - рованными молекулами, что дает основание отождествить их с г чльюисовскими кислотными или основными центрами в зависи-мости от направления переноса заряда. [41]
ПО) GaAs пиннинга не происходит. При экспо зиции в кислороде достаточно образования пленки толщиной в малую долю монослоя для появления пиннинга у поверхности с Ер KI 0 5 эВ выше вершины валентной зоны. [43]
В отличие от Фишера [8] Соболев [15] предлагает несколько иную схему зон в GaS и GaSe вблизи Eg. В GaS из двух самых нижних минимумов зоны проводимости, расположенных в двух разных точках зоны Бриллюэна, один минимум лежит ниже другого и не совпадает с максимумом валентной зоны, а в GaSe и GaTe, наоборот, самый нижний из двух минимумов совпадает с вершиной валентной зоны. В GaTe наблюдается проявление резкой анизотропии структуры зон. [44]
Туннельный ток, как и оптическое возбуждение, связан с переходом из зоны в зону. Поэтому возможны два тина туннельных переходов. Если вершина валентной зоны находится в той же точке р-пространства, что и дно зоны проводимости, то происходят прямые переходы. [45]
Страницы: 1 2 3 4