Вершина - валентная зона
Cтраница 2
Анализ спектров отражения показывает, что в GaSe один из минимумов зоны проводимости совпадает с вершиной валентной зоны. [16]
Под поверхностным потенциалом понимают разность энергий электронов у дна зоны проводимости или дырок, находящихся на вершине валентной зоны на поверхности и в глубине полупроводника, поделенную на заряд электрона. Для измерения поверхностного потенциала используют металлический электрод, располагаемый на поверхности полупроводника и отделенный от нее тонким слоем изоляционной прокладки. [18]
 |
Образование приповерхностного слоя объемного заряда под влиянием заряженной поверхности в полупроводниках п - и р-типа. [19] |
Вызванный таким зарядом изгиб зон приводит к увеличению расстояния от уровня Ферми до дна зоны проводимости в полупроводнике и-типали до вершины валентной зоны в полупроводнике р-типа. [20]
 |
Образование приповерхностного слоя объемного заряда под влиянием заряженной поверхности полупроводника п - и р-типа. [21] |
Вызванный таким зарядом изгиб зон приводит к увеличению расстояния от уровня Ферми до дна зоны проводимости в полупроводнике / г-типа и до вершины валентной зоны в полупроводнике р-типа. [22]
Направления распространения волны для электрона у верхнего края заполненной зоны и для электрона у нижнего края пустой зоны не совпадают, поэтому переход из вершины валентной зоны на дно зоны проводимости является запрещенным. [23]
Следует соблюдать осторожность при правильном отнесении энергий Ее и Ес к одному и тому же началу отсчета, обычно к уровню Ферми или к вершине валентной зоны. [24]
Проводя аналогичный расчет для полупроводника, легированного акцепторами, можно показать, что при Г 0 уровень Ферми находится посредине между акцепторным уровнем и вершиной валентной зоны. С ростом Т он вначале приближается к валентной зоне, а затем поднимается вверх. [25]
Ферми ( в термодинамическом равновесии положение уровня Ферми в р-области совпадает с его положением в п-обла-сти), 1 - дно зоны проводимости, 2 - вершина валентной зоны. Основными носителями заряда в / / - области являются дырки; их концентрация много больше концентрации электронов проводимости. В n - области наблюдается обратная картина; там основными носителями являются электрону проводимости. [26]
В полупроводниках типа Ge и Si, где экстремумы валентной зоны и зоны проводимости расположены в разных точках зоны Бриллуэна вблизи пороговой частоты ЙЮп Sg, возможны только непрямые переходы с вершины валентной зоны в один из минимумов зоны проводимости в точке L или А. [27]
В том случае, когда интерес для исследования представляют лишь связанные состояния в запрещенной зоне кристалла, при расчетах на основе модели КРЭЯ можно ограничиться учетом положения экстремумов зонной структуры, лежащих вблизи дна зоны проводимости и вершины валентной зоны. Тогда можно считать вполне оправданным применение метода ЛКАО, для которого основные трудности возникают при описании высоких по энергии состояний зоны проводимости. [28]
Так как знак заряда дырки противоположен знаку заряда электрона, то для возникновения тока дырок, эквивалентного току, создаваемому коллективным движением электронов, знак эффективной массы дырок должен быть противоположен знаку эффективной массы электронов, располагающихся у вершины валентной зоны. Как известно, такие электроны обладают отрицательной эффективной массой. Поэтому эффективная масса дырок должна быть положительной. [29]
На рис. 5.18 8 показана энергетическая схема германия, содержащего примесь индия. Непосредственно у вершины валентной зоны на расстоянии Еа располагаются незаполненные энергетические уровни атомов индия. Близость этих уровней к валентной зоне приводит к тому, что уже при сравнительно низких температурах электроны из валентной зоны переходят на примесные уровни. Связываясь с атомами индия, они теряют способность перемещаться в решетке германия и в проводимости не участвуют. Носителями заряда являются лишь дырки, возникающие в валентной зоне. Поэтому проводимость германия в этом случае является в основном дырочной. [30]
Страницы: 1 2 3 4