Значение - ширина - запрещенная зона
Cтраница 1
 |
Зависимость концентрации носителей заряда в кристаллах Pbi - xSn / Te от давления.| Схематическая модель инверсии зон в твердых растворах Pbr - jSn / Te. [1] |
Значение ширины запрещенной зоны увеличивается с ростом содержания SnTe и уменьшается, как это видно из рис. 21.25, при повышении температуры. В соответствии с предложенной моделью ширине запрещенной зоны теллурида олова приписывают отрицательные значения, чтобы подчеркнуть, что зоны в теллуриде олова инвертированы относительно своего расположения в теллуриде свинца. Состав точки инверсии сдвигается в сторону большего содержания SnTe при увеличении температуры. [2]
Значение ширины запрещенной зоны селенида цинка, полученное в результате наших измерений, хорошо согласуется с данными работы [2], в которой также применялся метод спектров диффузного отражения. [3]
Значение ширины запрещенной зоны, полученное по тангенсу угла наклона прямой In а - / ( 1 / Г), равно 0 206 эв, что хорошо согласуется с величиной АЕ 0 21 эв, приведенной в табл. 34 и полученной также при исследовании температурной зависимости электропроводности. Из рис. 98 следует, что в полулогарифмических координатах данные по электропроводности расплавов исследованных соединений хорошо укладываются на прямые линии. Следовательно, зависимость электропроводности расплавов соединений A Bj1 может быть описана экспоненциальным уравнением, справедливым для твердого полупроводника в области собственной проводимости. [4]
Значения ширины запрещенной зоны этих кластеров близки к значениям для реконструированной поверхности Si ( 2x1), тогда как кластеры других размеров имеют значения меньше, чем у кристаллического кремния, и непрерывную ( металлическую) плотность состояний. Однако, согласно экспериментам [30] Sijo обладает высокой реактивностью, и многочисленные теоретические расчеты, рассмотренные выше, не указывают на наличие какой-либо особенной конфигурации этого кластера. [5]
Большинство значений ширины запрещенной зоны находится в пределах 20 % от электронного сродства электроотрицательного иона. [6]
Совпадение значений ширины запрещенной зоны, определенной оптическим методом и из температурной зависимости концентрации носителей зарядов в области собственной электропроводности, является неожиданным при сложной структуре энергетических зон кремния и объясняется наличием непрямых электронных переходов, происходящих с изменением волнового вектора К и сопровождающихся излучением или поглощением фотонов. [8]
Совпадение значений ширины запрещенной зоны, определенной оптическим методом и из температурной зависимости концентрации носителей заряда в области собственной электропроводности, является неожиданным при сложной структуре энергетических зон кремния и объясняется наличием непрямых электронных переходов, происходящих с изменением волнового вектора k и сопровождающихся излучением или поглощением фотонов. [10]
Еюк является значение ширины запрещенной зоны Е полупроводника, которое определяет величину потенциальной энергии одной фото-генерированной электронно-дырочной пары. Однако энергия этих квантов не используется в согласованной нагрузке полностью. Третье слагаемое отражает тот факт, что С / х-х UK. [11]
В таблице значений ширины запрещенной зоны приводятся сведения о характере объектов, на которых производились измерения. Термический метод дает величину запрещенной зоны при абсолютном нуле, в то время как оптический - при температуре измерения. Если в таблице указано значение, определенное оптическим методом при абсолютном нуле, это означает, что производились измерения температурной зависимости края полосы поглощения и результаты экстраполировались на нулевую температуру. Для гомеополярных веществ, к которым относятся все элементы, оптическая и термическая ширина зоны должна совпадать. [12]
Буквой а помечены значения ширины запрещенной зоны для непрямых переходов. [13]
Буквой а помечены значения ширины запрещенной зоны для непрямых переходов. [14]
 |
Зависимость ширины запрещенной зоны твердых растворов Pbi - iSruSe от состава. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5