Значение - ширина - запрещенная зона
Cтраница 2
При этом получены значения ширины запрещенной зоны 0 37 эВ при 300 К и 0 26 эВ при 77 К. [16]
 |
Связь ширины запрещенной зоны со средним зарядом ядер в соединениях AIIBVI. [17] |
Рассмотрим связь между значениями ширины запрещенной зоны и среднего заряда для соединений AnBVI. [18]
Рассмотрим связь между значениями ширины запрещенной зоны и среднего заряда для соединений AUBVI. Из рис. 43, б видно, что значения А. [19]
В табл. 15 даны значения ширины запрещенной зоны Ее, полученные различными авторами. Расхождения не очень велики, и величины Es колеблются в пределах от 0 9 до 1 15 эв, составляя разницу 0 25 эв. Такие расхождения объясняются различием методов определения, а также тем, что образцы готовились разными способами. Последнее, как показано выше, имеет большое влияние на величину измеряемого свойства. [20]
В табл. 15 даны значения ширины запрещенной зоны Ее, полученные различными авторами. Расхождения не очень велики, и величины Eg колеблются в пределах от 0 9 до 1 15 эв, составляя разницу 0 25 эв. Такие расхождения объясняются различием методов определения, а также тем, что образцы готовились разными способами. Последнее, как показано выше, имеет большое влияние на величину измеряемого свойства. [21]
 |
Зависимость ширины запрещенной зоны от разности электроот-рицательностей. Зачернены точки, относящиеся к окислам переходных металлов. [22] |
На рис. 14 сопоставлены значения ширины запрещенной зоны U с Дж для всех полупроводников, по которым имеются соответствующие сведения ( см. таблицу, стр. Из рис. 14 видно, что даже для полупроводников с различными кристаллической структурой и типами гибридизации получается хорошая корреляция между U и Дж. Выпадают из корреляции окислы переходных металлов. [23]
Энергия дана в элек-тронвольтах, а значения ширины запрещенных зон соответствуют ( если это не оговорено дополнительно) 0 К. Пунктиром показаны экстремумы, о существовании или положении которых имеется очень мало сведений. [24]
Во втором столбце в скобках стоят значения ширины запрещенной зоны, полученные линейной экстраполяцией к О К результатов оптических измерений при 300 и 77 К ( см. гл. [25]
Максимальный КПД может быть достигнут при соответствующем сочетании значений ширины запрещенной зоны единичных элементов. Верхний солнечный элемент изготовляется из наиболее широкозонного материала, у остальных элементов ширина запрещенной зоны последовательно уменьшается. Ониси и др. [131] разработали высоковольтные интегральные каскадные преобразователи с КПД 8 7 %, состоящие из последовательно соединенных солнечных элементов на основе SisN2, a - SiC: Н и a - Si: Sn. Согласно неопубликованным данным фирмы ECD ( г. Трои, шт. [26]
Спектральные положения коротковолновой и длинноволновой границ области чувствительности определяются значениями ширины запрещенных зон соответственно CdS и CdTe и не зависят от напряжения смещения, которое влияет на эффективность собирания носителей заряда и, следовательно, на фототок. [27]
На основании тех же аргументов можно в качестве первого приближения или нижнего предела использовать значение ширины запрещенной зоны, вычисленное в предположении, что твердое тело является ионным даже в том случае, когда соединение на самом деле является ковалентным. [28]
В табл. 1.2 приведены материалы, которые используются для изготовления полупроводниковых излучателей; дано также значение ширины запрещенной зоны S 3 для каждого материала. Как видно из табл. 1.2, предпочтение в современных излучателях отдано полупроводникам е прямыми переходами. Выбор ширины запрещенной зоны 83 определяется рабочей длиной волны излучателя в оптическом диапазоне волн. [29]
В [975] по изменению сопротивления р - n - перехода с давлением найдено для области комнатных Т значение ширины запрещенной зоны в Ge ДЦ 0 72 эВ, что хорошо согласуется с величиной ДЦ, полученной из зависимости р ( Г) в области собственной проводимости. Зависимость AS f ( Р) найдена в [976] посредством измерения зенеров-ского тока в р - л-переходе, находящемся под давлением. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5