Значение - ширина - запрещенная зона
Cтраница 3
 |
Форма края зоны проводимости в гетеропереходе p - GaAs - n - Al04Ga0j6As при различной ширине / области переменного состава. [31] |
Согласно модели Андерсона, появление разрывов краев энергетических зон зависит от соотношения между энергиями сродства к электрону и значениями ширины запрещенной зоны материалов, образующих гетеропереход. Наличие разрывов можно установить экспериментально [ Riben, Feucht, 1966a; Anderson, 1960 ], однако их значение и непосредственную взаимосвязь с энергией сродства к электрону определить точно не удается из-эа влияния поверхностных эффектов. Барьер Шоттки является наиболее простым примером такого разрыва. [32]
Комбинируя известные из опыта величины межатомных расстояний ( которые, несомненно, являются результатом уравновешивания всех типов взаимодействия) и значения ширины запрещенной зоны, Гудмен получил приблизительное соответствие между подвижностью и степенью ионности. [33]
С использованием результатов расчетов, выполненных в работе [170], построена объемная картина ( рис. 3.38) зависимости КПД от значений ширин запрещенной зоны Ел и Едг. На горизонтальной плоскости отложены значения Е и EqZ, а по вертикальной оси - величина КПД. [35]
Результаты электрических измерений, полученные на массивных поли - и монокристаллических образцах ZnSb, очень чувствительны к методике синтеза, и значение ширины запрещенной зоны колеблется от 0 44 до 0 7 эв. А ширина запрещенной зоны, найденная оптическими методами, составляет 0 53 эв. [36]
 |
Спектральное распределение фотомагнитного эффекта в образце AgLaSea. [37] |
На отдельных образцах сплава состава AgLaSe2 удалось наблюдать фотомагнитный эффект при 77 К, спектральное распределение которого ( рис. 3) дает значение ширины запрещенной зоны около 0 6 эв. [38]
Иванов-Омский и Коломиец [64] нашли, что в полупроводнике, изготовленном из равного количества InSb и GaSb, экстраполированное к 0 К значение ширины запрещенной зоны равно 0 45 эв, а подвижность электронов составляет 30 000 см2 / в сек. Его электрические свойства были подобны свойствам InAs. Эренрайх [39] показал, что экспериментально определенные значения подвижности в смешанных кристаллах In ( As, P) находятся в хорошем соответствии с результатами вычислений, основанных на комбинации двух механизмов рассеяния: полярного оптического рассеяния и рассеяния на ионизованных примесях. [39]
Первые измерения коэффициента Холла ( R) и проводимости ( а) в PbS, проведенные на спрессованных порошкообразных образцах и на природных кристаллах галенита, дали большой разброс значений ширины запрещенной зоны, определенной по наклону температурной зависимости R и а. Полученные значения варьировали в пределах от 0 1 до 1 0 эв, хотя в некоторых случаях была получена величина около 0 3 эв, которая в настоящее время считается приближенно верной. [40]
 |
Значения ruN для жидкого германия. [41] |
В монографий Захарова и Герасименко [145], посвященной получению аморфных пленок полупроводников и изучению их структурных особенностей, : подчеркивается факт сохранения тетраэдрического окружения в аморфных Ge и Si и указывается, что хорошо воспроизводимой характеристикой аморфного состояния является значение ширины запрещенной зоны. [42]
Значения ширины запрещенной зоны равны ДЕ1 42 эВ для электрических и 1 53 эВ для оптических измерений. При измерении фотопроводимости бор ведет себя как чувствительный, но инерционный проводник. [43]
 |
Некоторые параметры полупроводниковых материалов. [44] |
При малой ширине запрещенной зоны в р - / z - переходе возрастают обратные токи с повышением температуры. Значение ширины запрещенной зоны влияет на максимально допустимую рабочую температуру устройства. Например, у германия ширина запрещенной зоны составляет около 0 7 эв, и для выпускаемых промышленностью германиевых диодов и триодов максимальная рабочая температура не превышает 80 - 100 С. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5