Cтраница 2
![]() |
Энергетические зоны для полупроводника при отсутствия элек - W. [16] |
По вертикальной оси в таких диаграммах откладываются значения энергии электрона, отсчитываемые от уровня, принятого за нуль. По горизонтальной оси откладывается координата X кристалла твердого тела. [17]
Естественно, чем выше номер уровня, тем ниже значение энергии электрона, связывающей его с ядром, с одной стороны, и тем меньше различие этой энергии в подуровнях, на которые делится данный уровень, с другой стороны. [18]
Для рассматриваемых в следующем разделе вопросов важно уметь сравнивать значение энергии электронов внутри металла с энергией свободных электронов или электронов ч другом металле. [19]
Естественно, чем выше номер уровня, тем ниже значение энергии электрона, связывающей его с ядром, с одной стороны, и тем меньше различие этой энергии в подуровнях, на которые делится данный уровень, с другой стороны. [20]
На примере Ge показано [1545], что приблизительно до значений энергии электронов 0 5 эВ рассеяние энергии на оптических фо-ионах превышает рассеяние на акустических. [21]
В спектрах ЭПР ширина линии поглощения связана с неопределенностью значений энергии электрона в обоих состояниях. [22]
На схеме горизонтальные линии проведены на высотах, пропорциональных значениям энергии электрона в атоме, вертикальные указывают на возможные квантовые переходы. [23]
![]() |
Потенциальная кривая изменения энергии при сближении атомов до равновесного расстояния /. [24] |
Пространство имеет следующее, весьма важное свойство: разрывы АЕ определяют запрещенные значения энергии электронов, отвечающая которым электронная волна не может проникнуть в кристалл. Значения k, определяющие границы запрещенных областей, отвечают условиям, при которых имеет место отражение электронов от кристалла согласно уравнению Вульфа - Брэгга. [25]
Появление энергетических зон приводит к тому, что в некоторых случаях значения энергий электронов, принадлежащих к разным уровням в атомах, сближаются вплоть до совпадения в определенных пределах. Это явление называется перекрытием энергетических зон. В таких случаях электроны могут беспрепятственно переходить из одной зоны в другую. В других случаях зоны отделены одна от другой значительным энергетическим промежутком, который называется запрещенной зоной. В таких случаях переход электронов из нижней зоны ( валентной) с малой энергией в верхнюю ( зону проводимости) с большой энергией затруднен. [26]
В системе, состоящей из многих атомов, составляющих кристаллическую решетку металла, значения энергии электронов определяются по принципу Паули, согласно которому одно энергетическое состояние не может быть занято более чем двумя электронами с противоположно направленными спинами. Поэтому любой дозволенный уровень энергии в атоме распадается на столько подуровней, сколько атомов имеется в кристалле. [27]
Объясняется это тем, что по мере увеличения числа электронных слоев разности в значениях энергии электронов на смежных слоях все уменьшаются. [28]
Для первой воровской орбиты ( п1) в атоме водорода ( Z 1) значение энергии электрона будет равно 13 6 эв. [29]
В спектрах ЭПР дело обстоит сложнее, так как здесь ширина линии поглощения связана с неопределенностью значений энергии электрона в обоих состояниях. [30]