Циклотронный резонанс

Cтраница 1

Циклотронный резонанс для свободных электронов при частоте 24 Ггц был применен для исследования пламен при низком давлении. [1]

Циклотронный резонанс открывает возможность наиболее непосредственно изучать величину и характер эффективной массы зарядов. Ширина циклотронной резонансной кривой определяется числом свободных оборотов, совершаемых зарядом и дает поэтому длину его пробега. [2]

Условие наблюдения циклотронного резонанса 1 шст. 0 2. 2 шст1. 3 ш. - 2. [3]

Циклотронный резонанс позволяет получать сведения об эффективной массе и в том случае, когда она является тензорной величиной. На рис. 103 приведены пики поглощения в относительных единицах в германии. [4]

Влияние температуры на поглощение све та свободными носителями заряда в монокристаллах теллура. [5]

Циклотронный резонанс может быть объяснен квантованием энергии электронов и дырок в магнитном поле, при котором возникают уровни Ландау. [6]

Циклотронный резонанс позволяет определить т, для его наблюдения необходимы низкие, обычно гелиевые, температуры. [7]

Поглощение света дырками, инжектированными в германий п-типа. [8]

Циклотронный резонанс может быть объяснен квантованием энергии электронов и дырок в магнитном поле, при котором возникают уровни Ландау. [9]

Циклотронный резонанс позволяет определить т; для его наблюдения необходимы низкие, обычно гелиевые, температуры. [10]

Циклотронный резонанс в микроволновой области представляет собой наиболее прямой способ получения информации о форме границ энергетических зон в полупроводниках; однако соединения III-V трудно очистить до такой степени, чтобы они были пригодны для подобного эксперимента, в котором время релаксации носителей должно быть больше чем 5 - 10 - 12 сек. Другое осложнение обусловлено колебаниями плазмы. Если свободных носителей заряда слишком много, то в переменном электрическом поле они начинают совместно колебаться и это маскирует циклотронный резонанс. Такие колебания плазмы особенно неблагоприятны в полупроводниках подобных InSb n - типа, в которых из-за нулевой энергии ионизации доноров число электронов проводимости, поставляемых донорами, не может быть уменьшено путем охлаждения образца до низких температур. [11]

Регистрация циклотронного резонанса в германии ( В. Меркуров. Ось абсцисс градуирована непосредственно по т при помощи уравнения ( 92. На оси ординат величины отложены с увеличением в 2 5 раза. [12]

Циклотронный резонанс был замечен лишь в очень немногих материалах. [13]

Циклотронный резонанс - явление избирательного погло - щения энергии электромагнитного поля в металлах и полупроводниках, находящихся в постоянном магнитном поле, обусловленном квантовыми переходами электронов ( дырок) между энергетическими уровнями Ландау ( см. гл. Включим теперь радиочастотное электрическое поле с электрическим вектором Е, перпендикулярным к магнитному полю Я, и со ия; если электрон имеет подходящую фазу своего движения по спирали, то, поскольку частота его вращения совпадает с частотой внешнего поля, он будет ускоряться и спираль будет расширяться. Действительно, радиочастотное электрическое поле ускоряет электрон на первом полуцикле движения. На втором полуцикле электрическое поле изменяет знак на обратный, но и электрон, двигаясь по спирали, изменяет соответственно направление своего движения и поэтому снова ускоряется. [14]

Циклотронный резонанс является полезным методом исследования свойств зонной структуры в ковалентных [85, 79], ионных [14, 269] и металлических [147] кристаллах. Ширина резонансного пика является мерой времени рассеяния, а его положение определяет эффективную массу. [15]

Страницы: 1 2 3 4