Циклотронный резонанс

Cтраница 2

Циклотронный резонанс обычно наблюдается измерением поглощения в образце, помещенном в объемный резонатор. Схематическое устройство прибора, работающего на частоте 35 Ггц и использованного в неопубликованной работе Паркинсона, показано на рис. 7.20. Исследуемый образец помещается в центре прямоугольного резонатора с длиной 3X / 2 в том месте, где электрическое поле максимально, а магнитное минимально. Носители возбуждаются источником света [141], промодулированным с помощью затвора, синхронизированного с фазовым когерентным детектором. Обычно применяется волна - с линейной поляризацией. Поглощение наблюдается по изменению коэффициента отражения резонатора. [16]

Циклотронный резонанс является одним из немногих прямых методов определения эффективной массы носителей зарядов в твердых телах. Физическая причина изменения массы и даже возможности появления отрицательной эффективной массы [582] состоит во взаимодействии подвижных зарядов, описываемых соответствующими волнами де - Бройля и имеющих периодическую атомную структуру кристаллов. Когда длина волны становится приблизительно равной расстоянию между последовательными атомами, происходит сильное изменение отражения носителей. Очевидно, что величина эффективной массы тесно связана с атомной структурой и энергетическими уровнями системы. [17]

Спектр циклотронного резонанса в тонком монокристалле Bi. при Н Нот наблюдается резонанс на неэкстремальных орбитах.| Эволюция области А а случае размешивания. [18]

Размерный циклотронный резонанс наблюдается и при DeKtr OH обусловлен электронами, взаимодействующими с ВЧ-полем во всплеске. Роль толщины d в этот случае играет величина d - Dext N, где ff - число всплесков в пластине. Резонанс наступает, когда ш кратна частоте обращения электронов с диаметром орбиты d - DexiT N. Обратное влияние всплесков на поле в скин-слое приводит к резонансной добавке к импедансу, зависящей от параметров зеркальности обеих граней. [19]

Поэтому циклотронный резонанс удается наблюдать лишь в окрестности исходных компонент ( 0 4; 0 75 % Ge в Si и 0 8; 5 4 % Si в Ge [2277]), где исходная структура зон не претерпевает существенных изменений. [20]

Микроволновой циклотронный резонанс наблюдали в InSb п-типа Дрессельхауз, Кип, Киттель и Вагонер [35]; величина эффективной массы электронов по их данным равна ( 0 013 0 001) тга. Выяснилось, что резонансная частота не зависит от ориентации кристалла. Это говорит о том, что поверхности постоянной энергии зоны проводимости InSb сферически симметричны. [21]

Наличие циклотронного резонанса приводит к существованию волн, частоты которых близки к / гО, где п - целое число. Волновые же векторы должны существенно превышать величину обратного ларморовского радиуса. [22]

Исследование циклотронного резонанса вскрыло сложную картину энергетических уровней в зонах Бриллюэна. [23]

Явление циклотронного резонанса связано с поглощением энергии электромагнитного поля в проводниках и, в частности, в полупроводниках, находящихся в магнитном поле. Оно обусловлено переходами между уровнями Ландау. [24]

Измерения циклотронного резонанса позволяют непосредственно определить эффективную массу, если известно магнитное поле, поскольку шс еВ / т Дополнительных экспериментов для определения других параметров ( например, концентрации носителей) не требуется. Далее, если эффективная масса изотропна, то исследуемый образец не обязательно должен быть монокристдллическим Однако даже с развитием техники получения сильных магнитных полей при помощи сверхпроводящих соленоидов условия, определяемые формулой ( 48), все же остаются весьма трудно выполнимыми. Для магнитного поля 105 Гс ( 10 Вб / м2) подвижность носителей, согласно этому условию, должна превышать 1000 сы. [25]

В окрестности циклотронных резонансов функция распределения может выражаться, при выполнении определенных условий, всего одним членом ряда Фурье. [26]

Если условие циклотронного резонанса ш / иое п не выполняется, то последовательные приращения Дб различаются множителем ехр ( - 2гтго / а е), и среднее приращение за большое число периодов будет равно нулю. [27]

Ширина линии циклотронного резонанса в металлах и полупроводниках определяется длиной свободного пробега носителей заряда. [28]

Количественная теория циклотронного резонанса имеет особенно простой вид для свободных электронов, движущихся без соударений. [29]

Количественная теория циклотронного резонанса имеет особенно простой вид для свободных электронов. [30]

Страницы: 1 2 3 4