Cтраница 4
Рассмотрим элементарную теорию циклотронного резонанса, считая что заряд е обладает скалярной эффективной массой т и движется по законам классической механики. [46]
Условием хорошего наблюдения циклотронного резонанса является выполнение неравенства сот 1, где т - время свободного пробега носителя. [47]
В опытах по циклотронному резонансу переходы носителей происходят между магнитными подзонами либо зоны проводимости, либо валентной зоны. Существует также эксперимент, при котором наблюдаются переходы из валентной магнитной подзоны в магнитную подзону проводимости ( фиг. [48]
Зависимость NH ( ecRH - от Ns при 4 2 К для двух различных напряжений на подложке. а - Упот 0. б - Упопл - 15 В. Стрелка соответствует проводимости 3 10 См. [49] |
В опытах по циклотронному резонансу ситуация аналогична. [50]
Этот случай соответствует полуцелому циклотронному резонансу. [51]
В связи с циклотронным резонансом мы уже приводили данные, для германия и кремния. Однако далеко не во всех полупроводниках удается наблюдать диамагнитный или циклотронный резонанс; для этого нужно, чтобы, хотя бы при низких температурах, длина свободного пробега электронов позволяла им совершить в магнитном поле полный круг без столкновений. [52]
В мазерах на циклотронном резонансе ( МЦР) роль возбужденных осцилляторов играют вращающиеся по ларморовским окружностям электроны винтового пучка. Соответствующее возбуждение или усиление колебаний с частотой, близкой к циклотронной, в МЦР по своей физической природе фактически ничем не отличается от циклотронных неустойчивостей в адиабатических ловушках. Вся разница состоит лишь в том, что в МЦР речь идет о возбуждении вакуумного резонатора, а в адиабатических ловушках колеблющейся средой является плазма. [53]
Козф, Я ощущает циклотронный резонанс ( при равенстве и. [54]
С какой целью используют циклотронный резонанс при изучении свойств полупроводниковых кристаллов. [55]
Наконец, нужно упомянуть циклотронный резонанс - резонансный эффект, связанный с диамагнетизмом свободных электронов и дырок. В тех случаях когда этот метод может быть применен ( а это возможно только при соблюдении очень строгих условий), он дает подробные сведения об эффективных массах носителей тока. [56]