Рекомбинация - дырка
Cтраница 1
Рекомбинация дырок и электронов может приводить к испусканию света. Это явление называют электролюминесценцией ( ЭЛ); в органических монокристаллах ЭЛ впервые наблюдали Поуп, Калман и Магнант [80], использовавшие для этого ин-жекцию носителей в сильном поле из небольшого электрода. При этом носители обоих знаков образовывались около одного и того же электрода, и последующая их рекомбинация приводила к флуоресценции, характерной для синглетных экситонов. [1]
Рекомбинация дырки с электроном возможна прямо через запрещенную зону или через промежуточное состояние с энергетическим уровнем внутри запрещенной зоны. Энергия, выделяющаяся при рекомбинации, может либо излучаться в виде фотона, либо переходить к третьему носителю, либо передаваться решетке. Процесс рекомбинации, происходящий с излучением фотонов, называют излучатвльной рекомбинацией, а механизм, при котором энергия передается третьему носителю, - рекомбинацией Оже. Для передачи энергии решетке необходимо участие нескольких фононов. Когда рекомбинация происходит через промежуточные состояния, мы обычно не сосредоточиваем внимания на механизме рассеяния энергии; но мы всегда делаем различие между состояниями на поверхности полупроводника и состояниями в его объеме. [2]
При рекомбинации дырки и электрона освобождается значительная энергия; распределение этой энергии - одна из проблем, требующих рассмотрения. Рекомбинация может приводить к образованию связанного состояния пары зарядов, которое переходит в основное состояние, испуская фотон и несколько фононов или только одни фононы. Эти процессы называют соответственно излучатель-ной или безызлучательной рекомбинацией. [3]
Вероятность рекомбинации дырок с электронами, а следовательно, и Дп возрастают при увеличении пути, проходимого дырками в п-гер-мании. Поэтому эмиттер и коллектор желательно располагать возможно ближе друг к другу. Обычно расстояние между ними не превышает 0 1 мм. [4]
При этом рекомбинация неравновесных дырок происходит быстро, так как определяющим является процесс захвата дырки ловушкой, которая после этого почти сразу заполняется электроном зоны проводимости. [6]
С окончанием рекомбинации дырок обратный ток обрывается, что вызывает в кривой обратного напряжения появление начального скачка, превышающего расчетное значение t / обр. [7]
Это происходит за счет рекомбинации дырок с электронами. [8]
 |
Симметричный р-п переход. [9] |
Аналогично в р-области протекают процессы рекомбинации дырок с перешедшими туда электронами. В приграничных слоях протяженностью / нарушается условие электрической нейтральности. [10]
SQ; kR обозначает скорость рекомбинации дырки и электрона с образованием основного состояния. [11]
 |
Симметричный р-п переход. [12] |
Аналогично в р-области протекают процессы рекомбинации дырок с перешедшими туда электронами. В приграничных слоях протяженностью / нарушается условие электрической нейтральности. [13]
В базе диода непрерывно происходит процесс рекомбинации дырок и электронов. Ток диода / д обеспечивает восполнение заряда и поддерживает его на уровне / дтб. Причем со стороны эмиттера поступают дырки ( неосновные носители), а со стороны вывода базы - электроны. [14]
Поэтому процесс может эффективно происходить главным образом при рекомбинации дырки и электрона, причем сорбент должен обладать соответствующей шириной запрещенной зоны. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5