Рекомбинация - дырка
Cтраница 3
По сравнению с обычными ( биполярными) транзисторами в полевых транзисторах отсутствуют шумы, вызванные рекомбинацией дырок, эмиттируемых в базовую область, поверхностными и объемными токами утечек в переходе коллектор - база. [31]
 |
Схема транзистора р-п - р с общей базой и аналогичная схема на электронной лампе. [32] |
За вычетом небольшого тока базы, связанного с электронной составляющей тока через эмиттерный переход и частичной рекомбинацией дырок в области базы, ток, введенный в эмиттер, передается в цепь коллектора. [33]
За вычетом небольшого тока базы, связанного с электронной составляющей тока через эмит-терпый переход и частичной рекомбинацией дырок в области базы, ток, введенный в эмиттер, передается в цепь коллектора. [34]
За вычетом небольшого тока базы, связанного с электронной составляющей тока через эмиттерный переход и частичной рекомбинацией дырок в области базы, ток, введенный в эмиттер, передается в цепь коллектора. [35]
 |
Токи, текущие к выводу базы полупроводникового. [36] |
Ток / 61 / Г О-ее) - постоянная составляющая тока базы, обязанная своим происхождением рекомбинации дырок и электронному току эмиттера. [37]
Следовательно, можно ожидать, что в этом случае продолжительность третьего этапа процесса выключения, которая определяется рекомбинацией дырок в широкой гс-базе, будет также меньше. [39]
Как следует из ( 1 - 78), т) 0С1, что с физической точки зрения обусловлено рекомбинацией дырок с электронами в области базы. [40]
Важными свойствами германия и кремния, которые обеспечили им наибольшее применение, являются также их механическая прочность, химическая устойчивость, относительно медленная рекомбинация дырок и электронов: заряженные частицы противоположных знаков успевают пройти в этих полупроводниках тонкие слои, порядка 0 01 - 0 1 мм, без воссоединения друг с другом. [41]
 |
Проводники с различным типом электропроводности. а до соприкосновения. б при соприкосновении. [42] |
Аналогично в слоях р-области, примыкающих к контакту, образуется нескомпенсированный отрицательный заряд доноров, вызванный уходом дырок в и-область и рекомбинацией дырок с электронами, пришедшими из и-области. [43]
Это уравнение указывает, что по мере удаления от границы перехода дырочная составляющая тока уменьшается и на большом расстоянии равна нулю из-за рекомбинации дырок с электронами. На достаточном удалении от перехода все дырки рекомбинируют и ток переносится только свободными электронами. [44]
Из ( 9 - 10) видно, что угр0 - это вероятность рекомбинации электрона в единицу времени, а у Л - вероятность рекомбинации дырки в единицу времени. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5