Рекомбинация - дырка
Cтраница 2
Выражения (27.11) и (27.12) получены в предположении, что рекомбинация дырок происходит в зазоре эмиттер - коллектор. [16]
Величина падения напряжения на приконтактной области зависит от скорости рекомбинации дырок на антизапорном контакте и с увеличением уровня инжекции падает. [17]
 |
Зависимость коэффициента усиления по току от тока эмиттера для типового p - n - р сплавного плоскостного триода. [18] |
Дальнейшее влияние увеличения проводимости базовой области выражается в увеличении объемной рекомбинации дырок и электронов в этой области. Объемная рекомбинация приводит к возникновению дополнительного тока эмиттера и к дальнейшему уменьшению кб при больших значениях плотности эмиттерного тока. [19]
Физически это объясняется тем, что при кратковременных процессах рекомбинацией дырок в базе можно пренебречь. В наибольшей степени это справедливо для диффузионных диодов. [20]
Избыточный заряд дырок в базе уменьшается по двум причинам: из-за рекомбинации дырок с электронами и выведения дырок из базы через базовый электрод во внешнюю цепь. Подобным образом уменьшается и избыточный заряд неосновных носителей - электронов, численно равный в силу электронейтральности заряду дырок. [21]
В процессе движения дырок через - область неизбежно имеет место процесс рекомбинации дырок и электронов. Это означает, что не все носители тока, соответствующие току эмиттера 1е, достигнут коллектора, где они могут дать существенный вклад в ток 1С, протекающий по цепи коллектора. [22]
Заметим кстати, что в системе уже и так происходит процесс рекомбинации дырок, проходящих из р-области в центральную га-область. Электроны, прошедшие р-область без рекомбинации, легко соскальзывают вниз с потенциального барьера № 2, попадают в центральную re - область базы и ток, таким образом, замыкается. Дырки же принимают активное участие во всех процессах, протекающих в левой р-и-р-об - ласти, и если их ток модулируется переменным входным сигналом, то даже слабое изменение дырочного тока вызовет сильное изменение в объемном положительном заряде вблизи потенциального барьера № 3, а это, в свою очередь, может сильно изменить приток электронов от коллектора. [23]
Скорость возрастания числа дырок в единице объема равна разнице скоростей генерирования и рекомбинации дырок в единице объема плюс разность дырочных токов, входящих в единицу объема и выходящих из нее, причем рп - тепловая равновесная концентрация дырок в - материале, а т - их эффективное время жизни. [24]
Скорость возрастания числа дырок в единице объема равна разнице скоростей генерирования и рекомбинации дырок в единице объема плюс разность дырочных токов, входящих в единицу объема и выходящих из нее, причем рл - - тепловая равновесная концентрация дырок в л-материале, а тр - - их эффективное время жизни. [25]
При t - tz избыточный заряд дырок в базе п продолжает уменьшаться благодаря рекомбинации дырок и электронов. [26]
 |
Движение носителей зарядов ( а и токи в транзисторе ( б. [27] |
Ток базы / в представляет собой разность управляющего и управляемого токов ( ток рекомбинации дырок в базе); основные носители базы - электроны при компенсации движения дырок через эмиттерный и коллекторный переходы движутся в выводе базы в различных направлениях. [28]
Соотношение между токами коллектора и базы в транзисторе в активном состоянии определяется условиями диффузии и рекомбинации дырок в базе. Эти условия сильно зависят от типов использованных для изготовления транзистора материалов и конструкции его электродов, но очень слабо зависят от коллекторного и базового напряжений, сопротивлений, емкостей и индуктивностей, включенных в цепи базы, эмиттера и коллектора. В связи с этим транзистор можно рассматривать как устройство, распределяющее ток, протекающий через один из его электродов - эмиттер, в заданном соотношении между двумя другими электродами - базой и коллектором. [29]
При х - оо ( х; Lp) дырочный ток стремится к нулю вследствие рекомбинации дырок с электронами. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5