Рекомбинация - неосновной носитель
Cтраница 1
 |
Распределение неравновесных носителей вблизи перехода. [1] |
Рекомбинация неосновных носителей ( рис. 12.35, б), происходящая рассмотренным выше способом, будет сопровождаться излучением в зоне, близко расположенной к р-п-переходу. При соответствующей величине плотности тока в диоде вблизи перехода образуется область с инверсной населенностью носителей заряда. В том случае, когда плотность тока окажется достаточной для компенсации потерь в системе, в последней возможно усиление оптических колебаний. Введение в систему обратной связи в виде оптического резонатора дает возможность получить в диоде генерацию электромагнитных колебаний. [2]
Энергия при рекомбинации неосновных носителей в p - n - переходе выделяется в виде фотонов, а частота светового излучения пропорциональна ширине запрещенной зоны полупроводникового материала. [3]
Оценим влияние рекомбинации неосновных носителей на поверхности базы на коэффициент переноса. Число рекомбинирующих на поверхности дырок можно записать равным sSsps, где s - скорость поверхностной рекомбинации, Ss - площадь поверхности, на которой происходит рекомбинация, ир8 - концентрация инжектированных дырок у поверхности. [4]
 |
Схема замещения транзи-стора с основными источниками шу. [5] |
Рекомбинационный шум определяется беспорядочной рекомбинацией неосновных носителей в объеме базы и в ее приповерхностных слоях. [6]
Принято считать, что рекомбинация неосновных носителей тока в объеме монокристалла германия связана с переходами на промежуточные энергетические уровни, расположенные в запрещенной зоне. [7]
С увеличением скорости движения рекомбинация неосновных носителей заряда в базе становится меньше. [8]
При этом можно считать, что рекомбинация неосновных носителей практически проис-ходит в области базы. Поэтому для длинных вентилей, например с л-базой, ток неосновных носителей ( дырок) на расстоянии Зч-4 диффузионных длин от перехода падает до нуля. [10]
 |
Импульсы тока в полупроводниковом диоде. [11] |
Однако с повышением концентрации ускоряется процесс рекомбинации неосновных носителей, поэтому накопление неосновных носителей будет происходить только до определенного значения неравновесной концентрации, при которой интенсивность процесса рекомбинации уравновесит интенсивность процесса диффузии. [12]
Во время работы транзистора за счет рекомбинации неосновных носителей заряда в области базы возникает постоянная составляющая тока базы. [13]
Как показано в части I, постоянная времени, определяющая рекомбинацию захваченных неосновных носителей на глубоких ловушках в кремнии / - типа, пропорциональна квадрату концентрации основных носителей. Тот же самый закон получен и для ( 3-ловушек в кремнии п-тппа. [14]
Эффективное время жизни неосновных носителей заряда 4ф - время, определяющее процесс рекомбинации неосновных носителей заряда в базе диода. [15]
Страницы: 1 2 3 4