Рекомбинация - неосновной носитель
Cтраница 2
 |
Переключение ПП диода. а - . схема измерения времени переключения. Лпр и йобр - прямое. [16] |
Время выключения измеряется по времени восстановления обратного сопротивления и определяется рассасыванием и рекомбинацией неосновных носителей заряда. [17]
 |
Зависимость оптической чувствительности кремниевого фототранзистора от уровня освещения [ 57 ]. [18] |
Как известно, прохождение тока через р - тг-переход в пропускном направлении сопровождается рекомбинацией инъектированных неосновных носителей. Эта рекомбинация происходит либо в самом р - тг-переходе, либо вблизи него в узкой области, толщина которой определяется диффузионной длиной L. [19]
 |
Распределение обедненного [ IMAGE ] Распределение тока эмит-слоя при рп. тера. [20] |
Повышения коэффициента переноса р добиваются уменьшением концентрации примеси в базе, вследствие чего уменьшается рекомбинация неосновных носителей - дырок - с основными носителями - электронами. [21]
Вблизи границы р - и / г-областей в узком пространственном слое возможна инверсия населенностей; рекомбинация неосновных носителей может сопровождаться излучением. Этот слой называют активным слоем полупроводникового ОКГ; его толщина не превышает нескольких микрон. [22]
Как было указано выше, при положительных напряжениях ток через р-га-переход определяется скоростью растекания и рекомбинации введенных неосновных носителей, а при отрицательных напряжениях - скоростью генерации этих носителей и их притока к р-га-переходу. [23]
 |
Входные характеристики транзистора П210А в режиме насыщения. [24] |
Его значения здесь во много раз меньше, чем в активной области, что обусловлено повышенной скоростью рекомбинации неосновных носителей при их большой концентрации, конструкцией мощных плоскостных транзисторов и малым потенциалом коллектора. [25]
Два механизма обусловливают шум, описываемый выражением (4.2), а именно тепловые флуктуации в потоке неосновных носителей и рекомбинация неосновных носителей, и имеют место в объемных областях, граничащих с обедненным слоем. На первый взгляд может показаться странным, что флуктуации выходного тока составляющими которого являются диффузионные токи неосновных носителей в двух плоскостях, ограничивающих обедненный слой, могут проявляться в областях прибора вне перехода. Объяснение этой кажущейся аномалии связано с механизмом релаксации неосновных носителей, за счет которого после возмущения в распределении неосновных носителей восстанавливается статистическое равновесное состояние. В областях, далеких от перехода, за счет релаксации неосновных носителей потока во внешней цепи не создается, так как он полностью скомпенсирован потоком основных носителей. Рассмотрение процесса релаксации основных носителей, проведенное в разд. Но вблизи перехода возмущение в распределении неосновных носителей приводит к изменению градиента распределения на границе обедненного слоя; это означает, что в данном случае релаксация неосновных носителей также вызывает поток через переход, приводя к подъему сопутствующего потока заряда в цепи. Вклады в этот внешний поток от всех возмущений в концентрации неосновных носителей в объеме материала проявляют себя как наблюдаемый шум выходного тока. [26]
 |
Параметры переходных процессов в импульсном диоде. [27] |
Для ускорения процесса восстановления обратного сопротивления база в некоторых импульсных диодах легируется примесями, образующими ловушки и способствующими рекомбинации неосновных носителей. [28]
 |
Временные диаграммы переходных процессов в транзисторе. [29] |
Длительность переходных процессов зависит от параметров транзистора в активном режиме и инерционности транзистора, обусловленной конечным временем пролета и рекомбинацией неосновных носителей при движении их через область базы от эмиттера к коллектору. Длительность переходных процессов, состоящая из времени включения вкл и времени выключения / выкл, характеризует быстродействие транзистора и определяет величину потерь при переключении. [30]
Страницы: 1 2 3 4