Рекомбинация - неосновной носитель
Cтраница 3
Эти уровни, как и уровни, вносимые различными многообразными нарушениями и несовершенствами решетки, сказываются главным образом на процессе рекомбинации неосновных носителей и на времени их жизни. Мы вернемся к этой теме несколько позднее. [31]
На повышенных частотах коэффициент передачи тока ( КПТ) с увеличением частоты уменьшается, что связано с инерционностью процессов пролета и рекомбинации неосновных носителей заряда в базе, а также с инерционностью процессов, связанных с перезарядом барьерных емкостей эмиттера и коллектора. [32]
Чистая свежепротравленная, промытая денонсированной водой и просушенная поверхность полупроводника легко изменяет свои электро-физические характеристики и, в первую очередь, скорость рекомбинации неосновных носителей заряда под действием различных газов и водяных паров. [33]
Эта разность между величиной 1С - переменной компонентой тока коллектора-и величиной 1е - переменной компонентой тока эмиттера - и характеризует ток утечки, обусловленный рекомбинацией неосновных носителей в области базы. [34]
При использовании гетероперехода в качестве основы мощных выпрямительных диодов можно облегчить тепловой режим работы прибора за счет того, что излучение, которое выделяется при рекомбинации неосновных носителей заряда в обедненной области в течение обратного полупериода напряжения может быть выведено из прибора через широкозонный полупроводник без поглощения и рассеяния в окружающей среде или в специальном поглотителе. [35]
В работе [60] считается, что деградация обязана своим происхождением переводу атомов в междуузельные состояния, причем энергия, необходимая для этого перехода, выделяется при рекомбинации неосновных носителей. Тем самым авторы связывают процесс деградации с рекомбинационным током через переход. [36]
В заключение производят расчет цепи базы в предположении, что входное сопротивление на высоких частотах определяется в основном величиной гб, что и практически имеет место, так как на высоких частотах большая часть внешнего напряжения возбуждения падает на сопротивлении базы, обусловленном рекомбинацией неосновных носителей. [37]
Кроме меди, глубокие примесные уровни в германии и кремнии дают атомы золота, марганца, железа, никеля, кобальта и платины. Эти уровни играют большую роль в протекании процессов рекомбинации неосновных носителей заряда, что подробно будет рассмотрено в следующей главе. [38]
Этот слой выращивают методом эпитаксии, что и определило название соответствующей структуры. Наличие дополнительного высоколегированного л - слоя способствует более быстрым процессам рекомбинации неосновных носителей. Кроме этого, в эпитаксиальной структуре используют облучение для уменьшения времени жизни носителей заряда. [39]
В электронных лампах фликкер-шум возникает из-за немедленных случайных изменений эмиссионной способности поверхности катода, в угольных сопротивлениях - за счет флуктуации в контактном сопротивлении между гранулами, в керамических конденсаторах - из-за токов теплового возбуждения в материале. В полупроводниковых приборах со смещением фликкер-шум является следствием в основном генерации и рекомбинации неосновных носителей заряда. Оба эти процессы протекают внутри и на поверхности полупроводника. [40]
Как видно из графика, коэффициент усиления по току ki относительно мал при малом токе коллектора / к, резко возрастает с его увеличением, достигая максимума, а затем постепенно падает, причем чем меньше сопротивление нагрузки, тем менее заметно уменьшение величины kt с ростом тока. Малое значение коэффициента усиления по току при малом коллекторном токе объясняется относительно большой долей тока рекомбинации неосновных носителей в базовой области. С увеличением коллекторного тока коэффициент kt растет вследствие увеличения диффузионной составляющей тока неосновных носителей в базе и увеличения эффективности эмиттера. Последующее уменьшение коэффициента усиления с ростом тока / к объясняется ограниченностью инжекционной способности эмиттера. [41]
Наиболее распространенным способом осуществления этого процесса является использование р-я-перехода или барьера Шоттки. В момент, когда напряжение на МОП конденсаторе меньше порогового, через нагрузку протекает ток, обусловленный рекомбинацией неосновных носителей в МДП структуре. Таким образом, информация регистрируется в виде импульса напряжения. Некоторым недостатком такого способа вывода информации является ее стирание в ячейках МДП, на которые подано напряжение. Существенный интерес в связи с этим представляет лавинный метод вывода информации. Правда, для создания поверхностной лавины требуется дополнительный генератор импульсного напряжения, а для вывода ( ввода) информации при помощи световой радиации - источник излучения. [42]
 |
Условное обозначение транзистора IGBT.| Характерный хвост тока коллектора, появляющийся при запирании транзистора IGBT. [43] |
Заряд, накопленный в базе p - n - р транзистора, вызывает характерный хвост тока при выключении IGBT. Как только имеющийся в составе транзистора IGBT полевой транзистор MOSFET прекращает проводить ток, в силовой цепи начинается рекомбинация неосновных носителей, которая является предтечей хвоста. Этот хвост ведет к увеличению тепловых потерь и требует увеличения так называемого мертвого времени ( dead time) в мостовых и полумостовых схемах между промежутками проводимости двух приборов. [44]
При запертом р-п переходе проводимость GO мала и практически ее можно не учитывать. При открытом р-п переходе проводимость G0 связана с емкостью варактора соотношением C0 / G0 Tf, где Tv - время рекомбинации неосновных носителей заряда в полупроводнике - один из параметров варактора. [45]
Страницы: 1 2 3 4