Прямая рекомбинация

Cтраница 2

Возможные пути рекомбинации и генерации носителей. [16]

Такой процесс называется непосредственной или прямой рекомбинацией. Разность энергии выделяется в виде кванта электромагнитного излучения либо передается кристаллической решетке в виде механических колебаний. При этом электромагнитное излучение будет, очевидно, ограничено довольно узким диапазоном спектра. Однако такой процесс прямой рекомбинации мало вероятен. [17]

Такой процесс называют непосредственной пли прямой рекомбинацией. Разность энергий при этом выделяется в виде кванта электромагнитного излучения либо передается кристаллической решетке в виде механических колебаний. При этом электромагнитное излучение будет, очевидно, ограничено довольно узким диапазоном спектра. Однако такой процесс прямой рекомбинации маловероятен, так как для его осуществления электрон и дырка должны оказаться одновременно в одном и том же месте кристалла. Последнее приводит к тому, что, например, в германии на 1 10 рекомбинаций лишь одна происходит в результате непосредственной аннигиляции с выделением фотона, уносящего всю освобождаемую при рекомбинации энергию. [18]

Такой процесс называют непосредственной или прямой рекомбинацией. Разность энергий при этом выделяется в виде кванта электромагнитного излучения либо передается кристаллической решетке в виде механических колебаний. При этом электромагнитное излучение будет, очевидно, ограничено довольно узким диапазоном спектра. Однако такой процесс прямой рекомбинации маловероятен, так как для его осуществления электрон и дырка должны оказаться одновременно в одном и том же месте кристалла. Последнее приводит к тому, что, например, в германии на 1 10 рекомбинаций лишь одна происходит в результате непосредственной аннигиляции с выделением фотона, уносящего всю освобождаемую при рекомбинации энергию. [19]

Эгот тип рекомбинации следует четко отличать от прямой рекомбинации, упоминавшейся выше. [20]

Для реакций с участием галогенов можно исследовать не только прямую рекомбинацию атомов в молекулы, находящиеся в основном электронном состоянии, но и рекомбинацию, идущую через электронно-возбужденные состояния. Абсолютные измерения скоростей рекомбинации как в электронно-возбужденные состояния, так и в основное состояние молекул важны для теоретической интерпретации скоростей рекомбинации. [21]

Механизм рекомбинации электронов и дырок. [22]

На рис. 1 - 8, а показана схема прямой рекомбинации. Она происходит путем захвата электрона из зоны проводимости дыркой, находящейся в валентной зоне. [23]

Таким образом, ясно, что испускание света, соответствующее прямой рекомбинации, ограничено узким интервалом длин волн в области края основной полосы поглощения. [24]

Однако в случае идеального кристалла, которому соответствует приведенная схема, прямая рекомбинация возбужденного электрона с его дыркой маловероятна. Прямой и обратный переходы между энергетическими полосами ограничены строгими правилами отбора. Они могут иметь место лишь между уровнями, для которых вектор распространения, характеризующий по-веден / ie электрона, одинаков по абсолютной величине и направлению. Электрон при таких переходах не должен менять своего момента. [25]

Схема прямой рекомбинации носителей заряда ( а и рекомбинации через акцепторный ( б и донорный ( в уровни.. [26]

Таким образом, время жизни носителей заряда определяется двумя процессами - прямой рекомбинацией и рекомбинацией через ловушку. [27]

Габариты промышленных фотосопротивлений. [28]

При очень больших освещенностях полная концентрация носителей делается настолько большой, что начинает преобладать прямая рекомбинация электронов и дырок, несмотря на небольшую вероятность этого процесса. При этом проводимость, вызванная светом, много больше темповой проводимости. [29]

В качестве материала для генераторов света на электронно-дырочных переходах применяют полупроводники, обладающие свойством прямой рекомбинации. К ним относятся арсенид галлия, антимонид индия, фосфид индия, непрерывный ряд твердых растворов арсенида индия и фосфида индия, арсенида галлия и фосфида галлия и др. Технология получения электронно-дырочных переходов та же, что и в случае обычных диодов. Необходимыми требованиями являются наличие высокой инъекции неосновных носителей в базу, достаточно тонкий эмиттерный слой ( чтобы улучшить теплоотвод) и высокая плоскопараллель-ность перехода. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5