Cтраница 5
Действительный механизм рекомбинации еще не полностью изучен. Для германия и кремния расчеты, основанные на модели свободно перемещающейся дырки, рекомбинирующей со свободно перемещающимся электроном, дают намного большую величину времени жизни носителей, чем экспериментальные измерения. В общем можно сказать, что для тех полупроводников, у которых минимум зоны проводимости не расположен над максимумом валентной зоны, измеренное время жизни носителей всегда меньше времени, рассчитанного на основе прямой рекомбинации. Заметим, что в таких случаях в процессе прямой рекомбинации необходимым образом должны участвовать не только фотоны, но и фононы для того, чтобы удовлетворялся закон сохранения энергии и импульса. Однако в тех полупроводниках, где минимум зоны проводимости и максимум валентной зоны соответствуют одному и тому же значению кс, фононы не должны участвовать в процессе рекомбинации. В этом случае расчетное время жизни прямой рекомбинации намного ближе к экспериментально наблюдаемому времени жизни носителей, чем в полупроводниках типа кремния и германия. [61]