Последующая рекристаллизация

Cтраница 1

Последующая рекристаллизация, происходящая при очень высокой температуре и связанная с состоянием карбидных частичек, может сопровождаться гигантским ростом зерна и образованием нафталинового излома. Увеличение скорости нагрева при перекалке позволяет избежать гигантского разрастания зернч. Вообще же нафталиновый излом устранить трудно. [1]

Структурные схемы германиевого ( а и кремниевого ( б вентилей и конструктивный разрез кремниевого вентиля ( в. [2]

При сплавлении и последующей рекристаллизации в слое п германия остаются атомы индия в концентрации, значительно превышающей концентрацию донорных атомов. [3]

Структура стали, подвергнутая наклепу и последующей рекристаллизации, зависит еще от первоначального состояния. Если исходная структура стали крупнозернистая, то и после рекристаллизации получается более крупное зерно: грубые зерна цементита Цт не размельчаются при холодной прокатке, а располагаются между зернами феррита и по мере раздробления последнего распределяются вдоль направления прокатки. Устранить крупнозернистость и строчечное расположение структурно свободного цементита можно последующим нагревом до 900 С, выдержкой и охлаждением стали на воздухе. [4]

В результате плавления поликремниевой пленки при отжиге и последующей рекристаллизации при охлаждении монокристаллические зерна кремния укрупняются и параметры пленки приближаются к параметрам монокристалла. [5]

В скобках дана твердость после обработки давлением и последующей рекристаллизации. [6]

Сплавной переход образуется в результате вплавлеиия в полупроводник и последующей рекристаллизации металла или сплава, содержащего донорныеили акцепторные ( в зависимости от типа проводимости базы) примеси. Так, при изготовлении сплавного германиевого диода применяют вплавление сплава индий-галлий в германий с проводимостью n - типа или мышьяка в германий р-типа. [7]

Электронно-дырочный переход, полученный методом вплавления в полупроводник ( с последующей рекристаллизацией полупроводника) металла или сплава, содержащего донорные или акцепторные примеси, называют сплавным переходом, а переход, полученный в результате диффузии примеси в полупроводник, - диффузионным. [8]

Наконец, в процессе плавки, литья и кристаллизации, а затем последующей рекристаллизации в структуре алюминиевых сплавов появляются всякого рода неметаллические загрязнения, включения интерметаллидов, области рекристаллизации; заметно снижаются прочность и коррозионная стойкость конструкций. В САПе все эти неблагоприятные факторы исключаются. [9]

До спекания седиментаты представляют собой рыхлую упаковку частиц; после спекания и последующей рекристаллизации они трансформируются в ограненные кристаллиты, расположенные в монокристаллической матрице. Подбирая условия, можно получить монокристаллические мозаичные пленки с хорошо выраженными сегнето - и пироэлектрическими свойствами. [10]

Экзотермические пики при 772 и 933 С указывают на разложение цеолита и последующую рекристаллизацию образца. [11]

Диаграмма рекристаллизации ( медь. [12]

Это объясняется тем, что с увеличением степени деформации скорость образования зародышей при последующей рекристаллизации возрастает в большей мере, чем скорость их роста. [13]

В книге рассматриваются кристаллографические текстуры, образующиеся при деформации, а также при последующей рекристаллизации, которые далее обозначаются просто текстура. [14]

Установлено [42, 43], что аморфизация эпитаксиальных пленок кремния на сапфире методом ионной имплантация с последующей рекристаллизацией и применением термического и лазерного отжигов уменьшает концентрацию структурных дефектов. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5