Последующая рекристаллизация

Cтраница 4

Дефектом неправильной термической обработки быстрорежущей стали является чрезвычайно крупнозернистый так называемый нафталиновый излом ( фиг. По исследованиям В. Д. Садовского и других, при образовании аустенитной структуры объемные изменения вызывают ее пластическую деформацию и наклеп. Последующая рекристаллизация, происходящая при очень высокой температуре и связанная с состоянием карбидных частичек, может сопровождаться гигантским ростом зерна и образованием нафталинового излома. Увеличение скорости нагрева при перекалке позволяет избежать разрастания зерна. [46]

Известно, что при хранении ( в комнатных условиях) натуральный каучук часто становится твердым и неэластичным; обусловлено это заметным ростом кристалличности. Это кажущееся противоречие легко разрешается, если учесть, что у замороженного каучука кристаллические области имеют преимущественную ориентацию, несмотря на отсутствие ориентирующей внешней силы, что и обусловливает повышение температуры плавления. После первого плавления и последующей рекристаллизации Тпя приобретает обычное для натурального каучука значение, так как ориента-ционная кристаллизация вновь не развивается. [47]

Анальцим ведет себя аналогичным образом. Проведено исследование синтетического цеолита KG, имеющего каркас шабазит-ного типа, у которого менялось отношение Si / Al. Si / Al, температура разложения цеолита и последующей рекристаллизации падает. Поскольку катиоиная плотность, или число катионов, приходящихся на элементарную ячейку, безусловно, зависит от числа тетраэдрически координированных атомов алюминия в каркасе, термостабильность цеолита, по-видимому, связана с катионной плотностью и зарядом каркаса. [48]

Повышение температуры начала рекристаллизации алюминиевого сплава с повышением температуры деформации. [49]

Последняя играет при горячей деформации ту же роль, что и степень деформации при холодной деформации. Напомним, что на установившейся стадии деформации температура начала рекристаллизации не зависит от степени деформации, так как на этой стадии возникает динамически равновесная структура, практически не изменяющаяся с дальнейшим увеличением степени деформации. Это значит, что создаются и неизменные условия для последующей рекристаллизации. [50]

Схематическое изображение вторичных зародышей, образованных. [51]

Второе отличие зародышей из макромолекул от зародышей из маленьких молекул заключается в особой природе их верхних и нижних торцевых поверхностей. При складывании цепи дальнейший рост зародыша в направлении цепи путем добавления новых порций полимера к поверхности складывания невозможен. Перестройка складки в результате диффузионного процесса в твердом состоянии или полное ее плавление с последующей рекристаллизацией - единственный путь увеличения длины складки. Бахромчатая поверхность в зародыше типа бахромчатой мицеллы характеризуется большей свободной энергией вследствие особой структуры поверхности раздела между кристаллической и аморфной областями ( разд. [52]

В рассматриваемом случае это критическое явление выражается в резком возрастании податливости тех или иных структурных элементов при достижении некоторого характерного напряженного состояния, вследствие чего становится возможным развитие больших ( но при этом обычно обратимых) деформаций, и дальнейшее их развитие осуществляется во многих чертах по типу фазового перехода - из неориентированного в ориентированное состояние. Этот переход может совершаться на различных уровнях структурной организации полимера, вследствие чего он всегда носит более или менее локализованный и резко негомогенный характер. В крайних проявлениях этот переход может осуществляться действительно путем фазового перехода - плавления кристаллов с последующей рекристаллизацией или перехода из одной кристаллографической модификации в другую; более общим случаем является всегда происходящая ориентация, связанная с частичным или полным распадом структурных форм, существовавших в исходном материале. [53]

Процесс фазовой перекристаллизации в известной мере зависит от присутствия нерастворимых примесей, которые могут играть роль зародышевых центров, от предварительной пластической деформации, от одновременного протекания рекристаллизации. Очевидно, все эти факторы могут оказывать существенное влияние на величину и форму образующихся кристаллов новой фазы и приводить к устранению ориентационных соответствий или к значительному уменьшению степени ориентировки. Так, например, если при фазовом превращении происходит наклеп, обусловленный объемными изменениями, и последующая рекристаллизация, то закономерность кристаллографической ориентировки нарушается, и зерна новой фазы не будут сохранять наследственность к исходной структуре. [54]

Для крупногабаритных массивных деталей и заготовок, борьба с развитием отпускной хрупкости в которых наиболее актуальна, такого эффекта получить не удается. Это связано с тем, что ковка таких заготовок проводится в несколько эта-пов ( выносов) с многократными высокотемпературными ( до 1100 - 1250 С) нагревами, при которых происходит интенсивный рост аусте-нитного зерна; при этом наибольшая степень пластической деформации достигается при первых выносах, за которыми следуют повторные нагревы с последующей незначительной деформацией. В результате такой обработки литая структура стали, конечно, разрушается, однако зерно аус-тенита остается крупным, и добиться последующей рекристаллизации измельчения зерна не удается из-за малых степеней деформации на последних выносах. [55]

Особыми случаями применения эпитаксии являются КНС ( кремний-на-сапфире) - технология и КНИ ( кремний-на-изолято-ре) - технология. При создании КНС-структур на поверхности подложки монокристаллического сапфира наращивается тонкий слой монокристаллического кремния толщиной примерно 0 5 мкм. КНИ-технология заключается в нанесении на поверхность изолятора ( БЮг на кремниевой подложке) в процессе эпитаксии слоя поликристаллического кремния с последующей рекристаллизацией его в лазерных или электронных лучах в монокристаллический Si. Поскольку в КНС - и КНИ-структурах используется изолирующая подложка, электрические емкости элементов невелики, что способствует снижению потребления энергии и повышению быстродействия. Структуры КНС-типа уже реализованы на практике, а по КНИ-технологии создаются конструкции 3-мерных ИС, которые в настоящее время еще находятся на стадии исследования. [56]

При температурах, когда происходят незначительные изменения в размерах кристаллитов вдоль с-оси ( Готж - 235 С и Р 5 3 - 102 МПа, Готж 255 С и Р 7 - 102 МПа), наступает изотермическое утолщение кристаллов, связанное с увеличением подвижности макромолекул при повышенных температурах. В области же более высоких температур, когда продольные размеры начинают резко возрастать, происходит частичное плавление несовершенных, неустойчивых кристаллитов с последующей рекристаллизацией частичного расплава на более крупных, сохранившихся кристаллитах. [57]

Было сообщено о существовании двух других кристаллических форм поливинилиденфторида, обозначенных как формы I и II или ( 3 - и у формы соответственно. Осаки и Ишида [ 174], а также Преет и Луча [ 189, 190] переводили кристаллическую форму II в кристаллическую форму III путем твердофазного превращения при отжиге. Было показано, что обратное превращение в кристаллическую форму II, для которого, согласно Хасегава и др. [85], необходима термообработка, происходит после полного разрушения кристаллов форм I и III и последующей рекристаллизации. Оценка относительной устойчивости различных кристаллических форм осложнена вследствие распределения кристаллов по размерам и возможности необратимых переходов кристалл-кристалл, сопровождающихся изменением конформации макромолекул. [58]

Метод имплантации каналлируемых ионов кремния предусматривает осаждение поликристаллического кремния на изолирующую подложку с последующей имплантацией каналлируемых ионов кремния. Имплантируемые ионы часть поликристаллической пленки превращают в аморфный слой, а часть оставляют неповрежденной. Неповрежденными остаются зерна, у которых направление кристаллографической оси совпадает с направлением движения каналлируемых ионов. Эти зерна и служат затравкой для роста монокристалла при последующей рекристаллизации. [59]

Скорость испарения поддерживается в пределах ( 0 1 - 1) 10 - 4 мк / с. С целью сохранения постоянства состава осаждаемой пленки целесообразно испарение вести из достаточно большого источника. Отжиг производится в течение часа при температуре 300 - 350 С. Цель термообработки заключается в снятии напряжений в пленке и предотвращении последующей рекристаллизации в ней. Это способствует стабилизации структурных и, следовательно, электрофизических параметров пленок. Как видно из рисунка, эта технология содержит большое число операций, однако она позволяет получать достаточно точные конфигурации, а следовательно, и номиналы резисторов. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5