Cтраница 1
Рентгенолитография практически свободна от волновых ограничений разрешающей способности. Последняя в данном случае ограничивается в осн. [1]
В рентгенолитографии в качестве экспонирующего излучения используются рентгеновские лучи с длиной волны до 8 А, что обеспечивает существенное уменьшение влияния дифракции и получение изображения с очень высоким разрешением. Шаблон для рентгенолитографии представляет собой полупрозрачную для рентгеновских лучей подложку из кремния, на которую нанесен топологический рисунок в виде тонкой пленки ( например, золота), сильно поглощающей рентгеновские лучи. [2]
Однако рентгенолитография требует более сложного технологического оборудования. [3]
Шаблон для рентгенолитографии представляет собой полупрозрачную для рентгеновских лучей подложку, на которую нанесен топологический рисунок в виде тонкой пленки, сильно поглощающей рентгеновские лучи. [4]
Развитием электронолитографии является рентгенолитография, в которой используется излучение большей энергии. [5]
При изготовлении шаблона для рентгенолитографии сначала в поглощающей пленке золота, нанесенной на обратную сторону мембраны, формируют рисунок. Способ формирования зависит от толщины слоя. Обычно при толщине менее 0 25 мкм применяют комбинацию обратной литографии с электролитическим осаждением золота либо ионно-лучевое или ионно-плазменное травление сплошного слоя золота через маску. [6]
Основной сложностью при использовании рентгенолитографии является получение шаблонов, контрастных для рентгеновских лучей, например, изготовляемых с применением золота, и сравнительно низкая производительность метода. [7]
Время экспонирования в системах рентгенолитографии зависит от мощности источника излучения и чувствительности рентгено-резиста. [8]
Следует отметить относительную простоту оборудования для рентгенолитографии. [9]
Один из методов ионной литографии аналогичен рентгенолитографии и основан на облучении коллимированным ионным лучом шаблона, находящегося на небольшом расстоянии от покрытой резистом подложки. [10]
Следует иметь в виду и характерные для рентгенолитографии трудности и ограничения, к числу которых относятся, прежде всего, сложность изготовления шаблона, поскольку толщина мембраны ( подложки) шаблона не должна превышать 1 мкм, и сравнительно большее время экспонирования. [11]
Последний метод прекрасно подходит как источник рентгеновского излучения, используемый в рентгенолитографии, поскольку позволяет формировать рентгеновское излучение очень высокой плотности с требуемой длиной волны и параллельными лучами. Для рентгенолитографии важной технической задачей является разработка фотошаблонов, поскольку их рисунок изготавливается из пленок тяжелых металлов, а основой служит подложка, слабо поглощающая рентгеновское излучение. [12]
Если взять этот показатель за основу при сравнении различных литографических процессов, то рентгенолитография, как это видно из табл. 7.3, будет вне конкуренции благодаря относительной простоте базовых установок для рентгенолитографии и высокому разрешению метода. [13]
Лучевые методы обработки, используемые в микроэлектронике для формирования рисунка, включают электронолитографию, рентгенолитографию и метод лучевой термической обработки. [14]
Еще большие сложности возникнут при переходе к субмикронной технологии, требующей замены фотолитографии электронолито-графией и рентгенолитографией. [15]