Рентгенолитография
Cтраница 2
Таким образом, сравнение показывает ( см. табл. 7.6), что голография, электронолитография и рентгенолитография хотя и позволяют реализовать необходимую для большинства фильтров ПАВ разрешающую способность, но имеют малые рабочие поля. [16]
С учетом того, что лучшее затухание рентгеновских лучей наблюдается в золоте, а кремний практически полностью пропускает рентгеновские лучи, шаблон для рентгенолитографии изготавливается из тонкой золотой пленки, нанесенной на кремниевую подложку. [17]
В книге Введение в микроэлектронику в достаточно общем виде без излишнего загромождения формулами и цифрами дается описание методов современной технологии изготовления БИС и СБИС, таких как электронно-лучевая литография и рентгенолитография, плазмохимическая обработка, ионная имплантация, выращивание проводящих и диэлектрических слоев; обсуждается также круг проблем, которые подлежат решению при разработке новых технологических процессов. [18]
Если взять этот показатель за основу при сравнении различных литографических процессов, то рентгенолитография, как это видно из табл. 7.3, будет вне конкуренции благодаря относительной простоте базовых установок для рентгенолитографии и высокому разрешению метода. [19]
Последний метод прекрасно подходит как источник рентгеновского излучения, используемый в рентгенолитографии, поскольку позволяет формировать рентгеновское излучение очень высокой плотности с требуемой длиной волны и параллельными лучами. Для рентгенолитографии важной технической задачей является разработка фотошаблонов, поскольку их рисунок изготавливается из пленок тяжелых металлов, а основой служит подложка, слабо поглощающая рентгеновское излучение. [20]
В рентгенолитографии в качестве экспонирующего излучения используются рентгеновские лучи с длиной волны до 8 А, что обеспечивает существенное уменьшение влияния дифракции и получение изображения с очень высоким разрешением. Шаблон для рентгенолитографии представляет собой полупрозрачную для рентгеновских лучей подложку из кремния, на которую нанесен топологический рисунок в виде тонкой пленки ( например, золота), сильно поглощающей рентгеновские лучи. [21]
Создание и исследование резистов продолжается до сих пор с целью разработки материалов с оптимальными свойствами. Получены резисты для электроне - и рентгенолитографии, разрабатываются материалы для ионной литографии ( гл. VTI) Решающую роль в росте производительности литографии может сыграть повышение чувствительности резистов, поэтому с целью достижения большей светочувствительности в новых разрабатываемых позитивных резистах используется термическое усиление первичных процессов в результате каталитического действия продуктов фотолиза светочувствительного компонента на гидролиз пленкообразующего полимера. Разрабатываются новые типы резистов: стойкие к ИХТ, для создания чувствительных к коротковолновому УФ-свету планаризационных слоев, для создания слоев и проявления без участия растворителей ( сухие резисты) ( гл. Очевидно, для развития микроэлектроники необходимо создавать новые резисты, выдвигая и используя перспективные идеи. Особенно важно находить эффективные фотореакции и на этой основе получать резиотные композиции. Так, относительно недавно была обнаружена и изучена высокая светочувствительность ониевых солей органических соединений элементов пятой и шестой групп; использование полученных результатов в литографии позволило ввести в обиход в качестве полимерного компонента эпоксидные смолы ( гл. Важным материалом для литографии оказались также полиолефинсульфоны. [22]
Создание и исследование резистов продолжается до сих пор с целью разработки материалов с оптимальными свойствами. Получены резисты для электроне - и рентгенолитографии, разрабатываются материалы для ионной литографии ( гл. Решающую роль в росте производительности литографии может сыграть повышение чувствительности резистов, поэтому с целью достижения большей светочувствительности в новых разрабатываемых позитивных резистах используется термическое усиление первичных процессов в результате каталитического действия продуктов фотолиза светочувствительного компонента на гидролиз пленкообразующего полимера. Разрабатываются новые типы резистов: стойкие к ИХТ, для создания чувствительных к коротковолновому УФ-свету планаризационных слоев, для создания слоев и проявления без участия растворителей ( сухие резисты) ( гл. Очевидно, для развития микроэлектроники необходимо создавать новые резисты, выдвигая и используя перспективные идеи. Особенно важно находить эффективные фотореакции и на этой основе получать резитгные композиции. Так, относительно недавно была обнаружена и изучена высокая светочувствительность ониевых солей органических соединений элементов пятой и шестой групп; использование полученных результатов в литографии позволило ввести в обиход в качестве полимерного компонента эпоксидные смолы ( гл. Важным материалом для литографии оказались также полиолефинсульфоны. [23]
К проблеме поворота пучка широкополосного излучения на большой угол примыкает и задача повышения плотности потока излучения на мишени, расположенной на некотором расстоянии от источника. Она представляет интерес, например, для той же рентгенолитографии, контактной рентгеновской микроскопии, MP-фотофизики и - фотохимии. Наиболее очевидными концентрирующими элементами являются эллипсоид скользящего падения, в одном из фокусов которого расположен источник излучения, а в другом - мишень. [24]
В итоге получают рентгеношаблон. Трудности, возникающие при изготовлении шаблонов, являются основной причиной, сдерживающей широкое внедрение рентгенолитографии. [25]
УЛЗ на ПАВ работают на частотах от единиц до сотен МГц, а ГЛЗ - до 2 - 3 ГГц. Ограничение по / 0 здесь обусловлено в основном технологией изготовления встречно-штыревых преобразователей ( при использовании фотолитографии, напр. МГц, а в случае применения электронолитографии или рентгенолитографии - до Вх неск. Время задержки в УЛЗ на ПАВ обычно не превышает 150 - 200 мкс. Be-личина Д / / / п составляет П 1 01 я Л лп ЛП SO ттП Рис - 5 - Многоотводные ли - 11.1 1 - U D a U Д0 U - - OU ДЬ нии задержки на поверх - В ГЛЗ время задержки со - ностных волнах. [27]
Экспонирование фоторезистов производят через фотомаску ( фотошаблон) с изображением элементов прибора или схемы. После обработки фоторезиста в растворе, удаляющем экспонированные участки ( проявителе), на поверхности пластины образуется рельефное изображение, устойчивое к воздействию агрессивных сред, таких, как кислоты и щелочи, даже при нагревании. Соответственно процессы литографирования в этих случаях называются электронолитография или рентгенолитография. [28]
Повышение разрешающей способности оптической фотолитографии с одновременным увеличением диаметра рабочего поля является одной из важнейших задач современной технологии. В оптическом диапазоне длин волн даже при использовании самых совершенных безаберрационных объективов разрешение метода не лучше 0 50 мкм, что во многих случаях уже не удовлетворяет требованиям технологов при производстве БИС. Методы формирования изображения в различных регистрирующих материалах развиваются главным образом в трех направлениях: проекционная фотолитография, рентгенолитография, электронолитография. [29]
 |
Схема установки для про-е кциоиной электронолитографии. [30] |
Страницы: 1 2 3