Cтраница 3
В качестве материала мишени - источника рентгеновского излучения - выбирают молибден, алюминий или медь. Электроны фокусируются в пучок диаметром 1 мм. Экспозиция при этом менее 10 мин. Основной трудностью в рентгенолитографии является создание шаблона. [31]
Так как рабочие области компонентов ИМС формируются посредством различных технологических операций с помощью различных фотошаблонов, то возникает задача совмещения фотошаблона ( рентгеношаблона) или маски при экспонировании электронным путем для проведения последующей технологической операции с областью компонента ИМС, сформированной на предыдущей технологической операции. Поэтому при проектировании ИМС, чтобы избежать смыкания областей компонентов, расстояния между ними выбирают несколько большими ( на допуск совмещения), чем это необходимо для функционирования. Поскольку допуски на совмещения соизмеримы с минимальным топологическим размером, бесполезное с точки зрения параметров компонентов и плотности упаковки увеличение размеров может быть существенным. Этот проигрыш в размерах особенно ощутим при субмикронных размерах областей, обеспечиваемых рентгенолитографией. [32]
Общий размер масок в свою очередь определяется возможностями электронолитографического или фотолитографического получения рисунков с высоким разрешением на больших площадях, а также возможностью изготовления плоских жестких подложек-депжателей для непрочных фотошаблонов из кремния. Например, можно сделать подложку-держатель из бериллиевой фольги, обычно применяемой для создания свободных масок. Чтобы использовать возможности рентгенографии, надо совмещать изображения в разных слоях с точностью не хуже L / 5, что в настоящее время не реализуется. Поэтому применять рентгенолитографию целесообразно для одного слоя. Например, получены датчики поверхностных акустических волн с шириной электрода 0 6 мкм и неровностью края 0 2 мкм на площади 1X3 мм. [33]
При электронолитографии используют либо параллельный поток электронов ( проекц. Первый метод обладает более высокой производительностью, но требует сложных шаблонов и имеет ограниченную разрешающую способность. Второй позволяет достичь разрешения лучше 0 1 мкм ( а экспериментах Дж 2 нм) и формировать изображение без помощи шаблона путем прямого управления лучом с помощью ЭВМ, Разрешающая способность электронолитографии определяется рассеянием электронов в резнете и их обратным рассеянием в результате отражения от подложки. Для уменьшения этих явлений применяют двухслойные резисты. Поэтому обычно ее применяют в сочетании с фотолитографией и рентгенолитографией. При этом электронолитографию используют для формирования шаблонов и отдельных, наиб, ответственных рисунков на пластинах. [34]