Полученное приближенное решение
Cтраница 4
Использованный метод приближенного решения основывается на следующих соображениях. Вопрос о возможности использования такого приближения должен быть решен по результатам экспериментальной проверки полученного приближенного решения. [46]
К таким априорным данным относятся в первую очередь условия равенства нулю интегральных эмиссий на границах области реконструкции, условие обратимости измерений на данной линии наблюдения ( для оптически прозрачной плазмы), а также выполнение моментных законов сохранения, задающих вместе со вторым условием правила совместности проекционных данных. Конечно, в силу случайных и систематических экспериментальных ошибок все эти условия выполняются лишь приближенно, однако лишь при условии их выполнения для полученного приближенного решения задачи последняя будет внутренне непротиворечивой. [47]
При численной реализации того или иного конечного метода возникают ошибки округления, накопление к-рых, особенно в задачах большой размерности, может привести к значительным отклонениям полученного приближенного решения от истинного. Обе эти ситуации характеризуют свойство неустойчивости и присущи некорректно поставленным задачам. Так, в методе регуляризации, используя нек-рую дополнительную информацию о решении, аппроксимируют исходную задачу параметрич. [48]
Через RQ обозначен начальный радиус отверстия, цифры 0 и 1 на графиках - номера приближений. Отметим, что на графике концентрации напряжений линия, соответствующая первому приближению, является касательной к линии, соответствующей точному решению, в точке р 0, что является одним из подтверждений правильности полученного приближенного решения. Решение задачи методом последовательных приближений в координатах конечного состояния дает те же результаты для концентрации напряжений и отношения радиуса отверстия в конечном состоянии к радиусу в момент образования. [50]
Как отмечалось выше, напряжения в многослойных пластиках, например в стеклотекстолитах из ткани 181, могут быть проанализированы в любом направлении, если упругие постоянные в главных направлениях х и у определены экспериментально. Часто эти решения получаются достаточно сложными. Полученные приближенные решения применимы для напряжений, значительно меньших предела прочности материала. Так как эксплуатационные напряжения для большинства пластиков лежат именно в этом диапазоне, то эти решения могут применяться в расчетной практике. Однако если ставится цель наиболее полного использования потенциальных возможностей композиций, то, как правило, обнаруживается несостоятельность упрощающих допущений о характере взаимодействия системы полимер - арматура, так как связь между слоями или между арматурой и матрицей нарушается задолго до разрушения материала. [51]
В полученном приближенном решении задачи Сен-Венана касательные напряжения о 2 равны нулю. [52]
 |
Форма зазора ( а и. [53] |
В книге [ 121 задача решается в два этапа. На втором этапе, используя полученное приближенное решение, уточняют решение задачи с учетом прогибов поверхности, определенных численным методом последовательных приближений. [54]
Третья глава - Решение задач - содержит большое число примеров фактической реализации того или иного метода. Хотя большая часть решавшихся задач имеет конкретное прикладное значение, с этой физической точки зрения они не обсуждаются. Не обсуждается и прикладное значение полученных приближенных решений. [55]
На рис. 4.5 точка пересечения сплошных прямых [ Умх и [ Vxx ] соответствует давлению Рстех, лежащему внутри интервала Р - - Р, в котором преобладающими дефектами являются электроны и дырки. Это соответствует предположению, принятому при постановке рассматриваемой задачи о том, что при стехиометрическом составе кристалл является собственным полупроводником. Однако такое предположение не ограничивает применимости полученных приближенных решений, поскольку при их нахождении использовались лишь ограничения, накладываемые на параметры аир. На рис. 4.5 возможный ход зависимостей для концентраций нейтральных вакансий изображен также пунктирными прямыми. Поэтому такой кристалл при стехиометрическом составе является собственно-дефектным полупроводником и-типа, а переход к собственной проводимости происходит лишь при избыточном содержании X. В остальном же поведение такого кристалла не отличается от ранее рассмотренного. [56]
Страницы: 1 2 3 4