Cтраница 1
Одномерные решения w w ( r t), которые не зависят от угловой координаты, рассматриваются в разд. [1]
Одномерные решения w w ( r t), которые не зависят от угловой координаты ( р, рассматриваются в разд. [2]
Эти одномерные решения полезны, хотя они и справедливы лишь для очень короткого промежутка времени после начала переходного процесса. Величина этого промежутка часто ограничена началом влияния передней кромки. После этого переходный процесс становится и остается двумерным до тех пор, пока не будет достигнуто стационарное состояние. В следующих разделах рассматриваются результаты работ, посвященных исследованию всего переходного процесса в целом. [3]
Эти одномерные решения полезны, хотя они и справедливы лишь для очень короткого промежутка времени после начала переходного процесса. Величина этого промежутка часто ограничена началом влияния передней кромки. После этого переходный процесс становится и остаетсй двумерным до тех пор, пока не будет достигнуто стационарное состояние. В следующих разделах рассматриваются результаты работ, посвященных исследованию всего переходного процесса в целом. [4]
Использование одномерных решений задач теплопроводности также позволяет найти приближенное значение радиального градиента температуры на боковой поверхности кристалла. [5]
![]() |
Изменение профиля скорости при нагреве для X 187 и Q l 2. ( С разрешения авторов работы. 1982, ASME. [6] |
Кроме того, приведено одномерное решение в замкнутом виде, которое при малых временах согласуется с численным решением. Автомодельное стационарное решение также вполне удовлетворительно согласуется с численным решением для стационарного состояния. [7]
Последние две кривые представляют собой одномерные решения задачи охлаждения излучающего газа движущегося в канале. [8]
Следующий возможный режим соответствует периодическим колебаниям около одномерного решения й ( х), при котором положение максимума отклонения не вращается вокруг оси, а только колеблется вдоль оси Х синхронно по всем ср. [9]
Следует заметить, что если в случае одномерного решения с аннигиляцией ( § 3.2) можно формально согласовать внешнюю ( идеальную) и внутреннюю ( диффузионную) области путем подбора асимптотических разложений, то в случае решения Петчека с двумерным магнитным полем это представляется маловероятным. Этот метод вполне корректен и, как показывают численные эксперименты, хорошо работает при возрастании удельного сопротивления в области диффузии, что применимо к рассматриваемым ниже приложениям. [10]
Другой очевидной причиной накопления магнитного заряда является применение одномерного решения МГД-задачи Римана для нахождения численных потоков при решении многомерной МГД-системы. [11]
Из выражения ( 3 - 23) нетрудно получить одномерное решение ( 3 - 2) для неограниченного полого цилиндра. [12]
Устранение данного недостатка осуществляется путем представления этого интеграла через известные аналитические одномерные решения ( в виде быстро сходящихся рядов) для простейших типовых форм пористых блоков - шаровых или пластинчатых. [13]
Если граничные поверхности х I поддерживаются при нулевой температуре, то соответствующее одномерное решение имеет такой же вид, как и (3.8) гл. [14]
Если граничные поверхности х / поддерживаются при нулевой температуре, то соответствующее одномерное решение имеет такой же вид, как и (3.8) гл. [15]