Ионная решетка

Cтраница 5

В ионных решетках в связи с размерными и поляризационными различиями ионов часто С. AgCl, AgBiv AgJ число переноса Ag равно 1 при темп-рах 20 - 300 С; в кристаллах BaF2, ВаС12, РЬС12, PbF2 весь; ток переносится анионами. При этом перемещение; ионов каждого знака происходит лишь по узлам; соответствующей подрешетки кристалла. Искусст -; венно увеличивая концентрацию катионных или. Nad примесь; СаС12, причем на каждый ион Са2 образуется одна: избыточная катионная вакансия), можно значительно повысить коэфф. [61]

Два слоя одинаковых шаров плотной упаковки. [62]

В ионных решетках ионные радиусы могут сильно отличаться друг от друга. [63]

В ионных решетках возможно; но маловероятно возникновение дефектов других типов. Например, возможны перемена местами аниона и катиона и появление ионов того и другого типа в между-узлиях; обычно считается, что эти явления не имеют большого значения. Следует еще раз отметить, что наиболее вероятным является сосуществование дефектов Френкеля, Шоттки и других типов с преобладанием одного из них при определенных условиях. [64]

В ионных решетках бинарных соединений, как показал Гольд-шмидт [25], координационное число зависит от соотношения радиусов катиона и аниона. [65]

Страницы: 1 2 3 4 5