Рост - зародыш
Cтраница 1
Рост зародышей с размерами менее критического сопровождается повышением уровня энергии системы, а потому маловероятен. [1]
Рост зародыша размером г, сопровождается снижением энергии Гиббса. [2]
Рост зародышей происходит путем присоединения к ним атомов, диффундирующих вдоль поверхности кристалла-подложки или прямо попадающих из пучка. Первый процесс преобладает при малых размерах зародышей, а второй, когда они достигнут значительной величины и покроют большую часть поверхности. Скорость роста зародышей зависит от их формы: плоские образования должны расти быстрее, чем такие же по объему трехмерные скопления. [3]
Рост зародыша не отличается, конечно, от роста затравки. Смысл использования затравки состоит в том, что она оттягивает на себя выделяющееся вещество и препятствует, таким-образом, одновременному образованию большого числа зародышей. Если же зародышей образуется много, то они будут мешать друг другу при росте и не позволят нам получить крупные кристаллы. [4]
 |
Схема роста грани кристалла при образовании двухмерного зародыша и вокруг винтовой дислокации. [5] |
Рост зародыша происходит в результате перехода атомов из переохлажденной жидкости к кристаллам. [6]
Рост зародышей ( и соответственно разупрочнение) оказывается сдвинутым в сторону более высоких температур - к 400 С. [7]
Рост зародышей до критического размера связан с увеличением общей энергии системы, поэтому термодинамически выгоден не рост их, а плавление. Способны к росту в переохлажденной жидкости только зародыши радиусом г гк. [8]
Рост зародыша возможен лишь при выполнении неравенства А. I - Минимальные размеры такого зародыша обратной магнитной фазы г0 очень чувствительны к ничтожным изменениям структуры и свойств материала и формы зародыша. [9]
 |
Изменение энергии Гиббса при образовании зародышей кристалла в зависимости от их размера R ( а и степени переохлаждения ДТ ( б. [10] |
Рост зародышей возможен только при условии, если они достигли определенной величины, начиная с которой их рост ведет к уменьшению энергии Гиббса. [11]
Рост зародышей происходит в результате перехода атомов из переохлажденной жидкости к кристаллам. Кристалл растет послойно, при этом каждый слой имеет одноатомную толщину. Различают два элементарных процесса роста кристаллов. [12]
 |
Рост кристалла, содержащего винтовую дислокацию. [13] |
Рост зародыша, имеющего вполне совершенную структуру, вряд ли вообще возможен, ибо весьма мала вероятность того, что выпавший из раствора атом удержится ла поверхности кристалла, так как этот атом имеет лишь одну связь с кристаллом. [14]
 |
Зависимость механических свойств ( а, магнитных свойств ( б и удельного веса ( в холоднотянутой железной проволоки от температуры отжига. [15] |
Страницы: 1 2 3 4