Рост - концентрация - примесь
Cтраница 3
Таким образом, толщина перехода (2.2) уменьшается, а напряженность поля (2.3) увеличивается с ростом концентрации примесей. [31]
 |
Расчетные кривые коэффициента поперечного эффекта Н. - Э. при смешанном рассеянии электронов. [32] |
Из данных работы [132], приведенных на рис. 3.52 и 3.53, видно, что с ростом концентрации примеси зависимость Q - ( Т) ослабевает и при п 1018 см-3 величина коэффициента QJ - практически от температуры не зависит. [33]
Наблюдение за спектрами ЭПР ионов марганца и железа в стеклах системы мышьяк-халькоген-таллий позволяет установить общую характерную закономерность: с ростом концентрации парамагнитной примеси происходит изменение относительного количества ионов, различных координации. [34]
По-видимому, имеет место некоторая общая закономерность, характерная для стекол, а именно изменение относительного количества ионов различных координации с ростом концентрации парамагнитной примеси. [35]
 |
Структура энергетических зон в слаболегированном ( а и сильнолегированном ( б полупроводниках. [36] |
Экспериментально установлено, что при высоком уровне легирования, когда концентрация примеси достаточно большая, ширина запрещенной зоны полупроводника начинает уменьшаться с ростом концентрации примеси. Это связано прежде всего с тем, что при концентрациях примеси более 1018 см-3 среднее расстояние между атомами примеси становится меньше 10 - 6 см 10 нм, что сравнимо с длиной волны электрона. [37]
 |
Пример совместного применения меди и оцинкованной стали без возникновения контактной коррозии. [38] |
Однако можно гарантировать, что при отклонениях, связанных с качеством труб, срок службы оцинкованных труб уменьшается с повышением температуры и ростом концентрации примесей, стимулирующих коррозию. [39]
Изменяя скорость вытягивания от большего значения ( вначале) до значения, близкого к нулю, можно достичь такого соотношения между величинами / Сэфф и ростом концентрации примеси в расплаве, что величина Скр в некотором интервале значений х будет практически постоянна. [40]
Эти кривые показывают, что энергетический зазор, соответствующий прямому переходу из вершины валентной зоны в минимум зоны проводимости при k ( 0 0 0), уменьшается с ростом концентрации примеси. [41]
Из формулы ( 1) видно, что величина X не может быть для указанной системы выше произведения f aBH - Между тем, из экспериментальных данных авторов для этой системы видно, что рост концентрации примеси в твердой фазе с увеличением пересыщения по основному веществу получается значительно более высоким, чем это соответствует указанному произведению. [42]
Температуру Тмакс, соответствующую верхней границе области 2, можно приближенно определить из условия п - - Ng и графиков, приведенных на рис. 1.4. Максимальная температура пропорциональна ширине запрещенной зоны и увеличивается с ростом концентрации примесей. Зависимость Тмакс от концентрации примесей приведена на рис. 1.6. Наименьшее значение Тмакс имеет германий, так как у него ширина запрещенной зоны меньше, чем у кремния и арсе-нида галлия. [43]
Емкость слоя пространственного заряда Сб ( см. § 5), называемая барьерной, зависит от внешнего напряжения U на р-л-переходе: при увеличении напряжения U от обратного к прямому барьерная емкость Сб возрастает. С ростом концентрации примеси в p - n - переходе Сб ( 0) увеличивается. В диапазоне рабочих напряжений р-л-перехода барьерная емкость изменяется в несколько раз. Рабочие значения барьерной емкости составляют от десятых долей до десятков пикофарадов. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5