Рост - концентрация - примесь
Cтраница 5
Толщина отложений максимальна в том сечении теплообменника, где начинается вымерзание примесей. Эта толщина увеличивается с ростом концентрации примесей и пропорциональна времени переключения. Поэтому по мере роста концентрации примесей ( даже при практически минимальном времени переключения) толщина отложений может превысить допустимую величину. Для обычных чисел Рейнольдса ( 100) толщину отложений можно уменьшить за счет увеличения поперечного сечения теплообменника в месте вымерзания примесей до размеров, превышающих необходимые по условиям сопротивления. Однако местное увеличение поперечного сечения теплообменника связано с усложнением конструкции. В то же время описанные нами опыты показали, что необходимость в местном увеличении сечения при использовании прерывистых рифленых ребер отпадает. Концентрация СО2 в опытах доходила до 5 %, а время переключения равнялось 3 мин. [61]
 |
Температурные зависимости концентрации электронов ( а и уровня Ферми ( 6 в донорном полупроводнике с двумя типами донорной примеси при частичной компенсации доноров с энергетическим уровнем Ed. [62] |
При анализе температурной зависимости уровня Ферми как в чисто донорном, так и в частично компенсированном полупроводнике, проведенном в двух предыдущих параграфах, мы пользовались формулами для невырожденного полупроводника. Для некоторой концентрации примеси критерий невырожденного полупроводника Ес - F kuT может не выполняться, и полупроводник становится вырожденным. Проделанный таким образом расчет показывает, что с ростом концентрации примеси уровень Ферми, действительно, может приблизиться к зоне проводимости ближе чем на / г0Т и даже зайти в зону проводимости. [63]
Начиная от точки tA, температура плавления компонента А понижается по мере роста концентрации компонента В. Точно так же температура кристаллизации вещества В понижается с ростом концентрации примеси А. [64]
Страницы: 1 2 3 4 5