Рост - концентрация - примесь
Cтраница 4
На рис. 1.20 представлены зависимости поверхностного потенциала от модулей напряженности внешнего электрического поля и относительного значения поверхностного заряда ( Qnou / 7) для типичных концентраций акцепторов. С ростом концентрации примесей значение фПОр увеличивается. [46]
 |
Зависимость подвижности MV - eTN / t1l. [47] |
С увеличением скорости носителя уменьшается время его взаимодействия, что и повышает его подвижность. С ростом концентрации примесей подвижность уменьшается, что хорошо согласуется с экспери-ментом. [48]
В этот момент результирующее число носителей тока может быть равным нулю. Так как с ростом концентрации примесей падает сопротивление расплава, в монокристалле германия нельзя получить больше одной структуры п-р-п-тнпа. [49]
Толщина отложений максимальна в том сечении теплообменника, где начинается вымерзание примесей. Эта толщина увеличивается с ростом концентрации примесей и пропорциональна времени переключения. Поэтому по мере роста концентрации примесей ( даже при практически минимальном времени переключения) толщина отложений может превысить допустимую величину. Для обычных чисел Рейнольдса ( 100) толщину отложений можно уменьшить за счет увеличения поперечного сечения теплообменника в месте вымерзания примесей до размеров, превышающих необходимые по условиям сопротивления. Однако местное увеличение поперечного сечения теплообменника связано с усложнением конструкции. В то же время описанные нами опыты показали, что необходимость в местном увеличении сечения при использовании прерывистых рифленых ребер отпадает. Концентрация СО2 в опытах доходила до 5 %, а время переключения равнялось 3 мин. [50]
Тепловой ток резко снижается с ростом ширины запрещенной зоны. Тепловой ток уменьшается с ростом концентрации примесей вследствие снижения концентрации неосновных носителей. [51]
Приводимые рассуждения являются лишь качественными, так как неясно, какая эффективная масса существенна в процессе туннельного эффекта. Вуэффективная масса значительно изменяется с ростом концентрации примеси. [52]
 |
Температурные зависимости концентрации электронов ( а и уровня Ферми ( б в донорном полупроводнике с Двумя типами донорной примеси при частичной компенсации доноров с энергетическим уровнем EJ. [53] |
Для некоторой концентрации примеси критерий невырожденного полупроводника Ес - F k0T может не выполняться, и полупроводник становится вырожденным. Проделанный таким образом расчет показывает, что с ростом концентрации примеси уровень Ферми, действительно, может приблизиться к зоне проводимости ближе чем на k0T и даже зайти в зону проводимости. Проанализируем, от каких факторов, кроме концентрации примеси, зависит наступление вырождения электронов в зоне проводимости на основе модели полупроводника с одним типом одновалентных доноров. Зависимость уровня Ферми от температуры (3.55), полученная нами для этого случая ранее, приводит к выводу, что величина F ( Т) проходит через максимум при некоторой температуре. [54]
Существенно отметить, что отношение подвижностей Ь - щ / Ир с ростом концентрации примеси уменьшается. Аналогичное происходит с подвижностью электронов и дырок в соединениях AIHBV с ростом концентрации примеси. [55]
В связи с вышесказанным представляются важными цанные о степени ассоциации примесных ионов, которые можно получить из результатов измерения диэлектрических потерь. Из табл. 2 видно, что процент ассоциированных дефектов зсть величина, монотонно возрастающая с ростом концентрации примеси. При больших концентрациях примеси доля ассоциатов от общего числа примесных ионов несколько уменьшается. Это объясняется достижением предельной концентрации твердого раствора, о которой говорилось зыше. [56]
 |
Зависимость параметра / о от выбора участков кривой, которые аппроксимируются прямыми линиями. [57] |
В работе [606] рассчитаны параметры / 0 и j - 1 применительно к арсеииду галлия. Из расчетов следует, что для модели параболических зон с правилом отбора по волновому вектору температурная зависимость / о и р более слабая, чем для той же модели, но без правила отбора. С ростом концентрации примеси одного типа зависимость / о от температуры становится еще более сильной. [58]
С ростом температуры время жизни увеличивается. Основной причиной этого является уменьшение вероятности захвата ловушками неосновных носителей вследствие увеличения тепловой скорости последних. С ростом концентрации примесей время жизни уменьшается из-за роста числа дефектов структуры, являющихся центрами рекомбинации. Кроме того, при большой концентрации примесей и, следовательно, основных носителей возрастает вероятность Оже-рекомбинации. Поэтому в сильно легированных полупроводниках время жизни мало. [59]
Из выражения (6.83) видно, что с повышением температуры подвижность носителей заряда возрастает. С увеличением скорости носителя уменьшается время его взаимодействия, что и повышает его подвижность. С ростом концентрации примесей подвижность уменьшается, что хорошо согласуется с экспериментом. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5