Рост - нитевидный кристалл
Cтраница 1
 |
Параметры диффузии в меди с различным структурным состоянием. [1] |
Рост нитевидного кристалла возможен, если цинк с поверхности отводится внутрь, и кинетика роста определяется процессом диффузии. [2]
Рост нитевидных кристаллов связан со многими факторами - влажностью, чистотой и количеством соли, стабильностью режима восстановления. Однако температура и скорость прохождения водорода в печи в ряде случаев являются определяющими. Таким способам получают кристаллы диаметром от субмикронных размеров до 1 миллиметра и длиной до 10 сантиметров. [3]
Рост нитевидного кристалла углерода инициируют частицы металла диаметром 10 - 50 нм. По мере ведения процесса размер частиц катализатора ( к примеру, никеля) уменьшается, и наблюдается интенсивное образование нитевидного углерода. На конце нити расположен монокристалл металла, причем, монокристалл закономерно ориентирован по отношению к оси нити. [4]
 |
Теоретическая зависимость между размерами элементарной ячейки и габитусом кристаллов. [5] |
Механизм роста нитевидных кристаллов изучен недостаточно. Структура кристалла является главнейшим фактором, определяющим его морфологию. В структурах кристаллов наиболее прочные направления химической связи могут быть выявлены геометрически, так как им соответствуют кратчайшие расстояния между атомами. [6]
Механизм роста нитевидных кристаллов Сире связывает с особо большой ролью дислокаций [ особенно винтовых дислокаций ( см. 10.3.2) ], которые расположены в направлении оси нитевидного кристалла. Таким образом, на свободной торцовой грани кристалл растет по спиралям, в то время как боковые грани усов растут только через образование плоских зародышей. Следовательно, для образования усов переохлаждение должно быть меньше критического, при котором происходит рост кристалла через двухмерные зародыши. Отсюда вытекает, что ограничивающими поверхностями усов являются основные грани роста, которые растут от плоских зародышей. В большинстве случаев они действительно наблюдаются экспериментально как ограничивающие элементы. [7]
Скорость роста нитевидных кристаллов связана с природой металла или сплава, на которые наносятся покрытия. [8]
Скорость роста нитевидных кристаллов связана с природой металла или сплава, на которые наносятся локрытия. Так, наибольшая скорость роста кристаллов наблюдается в случае осаждения олова на цинк, латунь или медь, или на латунные и медные подслой. Оплавление оловянных покрытий затормаживает рост нитевидных кристаллов олова. [9]
Возможность роста нитевидных кристаллов алмаза под каплями металлов по механизму VLS экспериментально доказана. [10]
Установлено, что рост нитевидных кристаллов происходит, как правило, в присутствии специальных добавок к раствору. [11]
Механизм зарождения и роста нитевидных кристаллов SiC также еще мало изучен. Например, наличие каплеобразных наростов - глобул на игольчатых кристаллах S1C2H ряд авторов [3, 6, 7] связывает с ростом по механизму пар - жидкость - твердая фаза. Более того, в работах 3, 7 утверждается, что рост кристаллов может быть адекватно объяснен только на основе ПЖТ-механизма. В то же время в [4, 8] этот механизм роста для кристаллов SiC2H оспаривается, в частности, на основании того факта, что на многих кристаллах глобулы отсутствуют. [12]
Покрытие не подвержено росту нитевидных кристаллов и переходу в порошковую модификацию при низких температурах. [13]
Хотя в общем случае рост нитевидных кристаллов ( усов) не оказывает влияния на кинетику реакции, могут быть случаи, когда скорость общей реакции определяется скоростью процесса, протекающего на поверхности раздела между газом и окислом. Примером является реакция между сероводородом и медью при температуре около 50 С. На ранних стадиях этой реакции скорость подчиняется линейному закону, и образуется плоская пленка сульфида. При критической толщине пленки начинается зарождение нитевидных кристаллов. Начиная с этого момента реакция ускоряется вследствие увеличения площади поверхности раздела между сульфидом и газом, и это ускорение продолжается в течение всего периода роста нитевидных кристаллов. Тот факт, что скорость реакции определяется процессами, протекающими на поверхности раздела между газом и сульфидом, вытекает из зависимости скорости от давления. [14]
Согласно Вагнеру [28-29], рост нитевидных кристаллов по механизму VLS ( пар - жидкость - твердое) возможен лишь при определенных значениях смачиваемости твердой фазы насыщенным ею расплавом. [15]
Страницы: 1 2 3 4