Cтраница 2
Оплавление оловянных покрытий затормаживает рост нитевидных кристаллов олова. [16]
Швебель [174] предложил модель роста нитевидных кристаллов из пара по механизму поверхностной диффузии, причем эта модель обходится без винтовых дислокаций. Все атомы, ударяющиеся о боковые стенки этих ярусов, перемещаются к ступеням посредством поверхностной диффузии и встраиваются в решетку только на ступенях. В отличие от модели Бартона, Кабреры и Франка предполагается, что ступень ( горизонтальный участок на фиг. Это различие может быть обусловлено различными координациями адатомов у ступени, хотя сумма вероятностей захвата равна единице. Именно эта анизотропия захвата приводит к анизотропии движения ступеней. Теория Швебеля не учитывает диффузионные поля или концентрационные градиенты и носит чисто геометрический характер. Предполагается, что подвижность адатомов на боковых гранях выше, чем на ступенях, однако никаких других уточнений не проводится. Затем автор численно решает 20 зацепляющихся дифференциальных уравнений непрерывности и получает высоту каждого яруса в функции времени. [17]
Более детальное исследование закономерностей роста нитевидных кристаллов серебра, проведенное К. М. Горбуновой и А. И. Жуковой, однако, показало, что постоянство этого соотношения не соблюдается при переходе в область малых сил тока, которым соответствуют малые сечения кристаллов. [18]
Как указано в статье, рост нитевидных кристаллов оказывает в общем случае пренебрежимо малое влияние на кинетику реакции. Автор благодарен д-ру Фишмейстеру за указание случая, который является исключением из обычно наблюдаемого характера поведения реакции. [19]
Один из наиболее вероятных механизмов роста нитевидных кристаллов ( усов) карбида кремния - механизм пар - жидкость - твердая фаза ( ПЖТ), предложенный Вагнером и Эллисом [1, 2] и экспериментально подтвержденный для усов кремния, а позже и для других металлов. Однако, несмотря на многочисленные исследования и косвенные свидетельства возможности роста по механизму ПЖТ усов тугоплавких соединений и, в частности карбида кремния, долго не удавалось получить однозначных доказательств. Целью данной работы является выяснение возможности и условий роста усов SiC по механизму ПЖТ. [20]
Таким образом, при изучении роста нитевидных кристаллов при изменяющейся силе тока обнаруживается изменение в распределении активных мест на кристалле. Такое перераспределение происходит в связи с недостаточностью величины диффузионного потока, определяемой площадью растущей части кристалла. При возрастании этой площади общий диффузионный поток достигает необходимой величины, соответствующей возросшей силе тока, при сохранении прежнего значения плотности ( интенсивности) потока и перенапряжения на электроде. [21]
В работе [327] отмечалось, что рост нитевидных кристаллов из газовой фазы подчиняется тем же закономерностям, что и рост монокристаллов из пересыщенного пара. Атомы, достигающие вершины, встраиваются в решетку, например, на ступеньке аксиальной винтовой дислокации. [22]
Отклонением от нормального роста кристаллов является рост нитевидных кристаллов ( усов) и дендри-тов. Такие формы роста проявляются в том случае, если рост происходит преимущественно по определенным направлениям или граням. Особые формы кристаллов могут возникать из раствора, расплава, твердой фазы и пара. При росте нитей отличительным признаком является определенное кристаллографическое направление роста, причем боковые грани практически не растут. Направления нитей ( усов) обычно соответствуют кристаллографическим направлениям с низкими индексами. [23]
Возникающие-при этом дополнительные концентрационно-диффузионные условия наиболее отчетливо выявляются при анализе механизма роста нитевидных кристаллов. Их развитие можно рассматривать как простейшую модель роста грани, так как в этом случае наслоение вещества происходит только на одной ( или двух) грани. Все остальные грани оказываются неактивными. Как показал ряд исследований [9, 10], уменьшение и увеличение сечения ( S) нитевидного кристалла оказывается прямо пропорциональным изменению силы тока / в цепи ячейки. Математически это может быть выражено формулой: I / S k, где k - постоянная величина. Эта зависимость была объяснена нами [2] после того, как одним из авторов настоящей статьи было обнаружено [ И ] нарушение постоянства этого отношения для нитей весьма малых сечений. [24]
Таким образом, несмотря на существующие различные мнения относительно возможных механизмов роста нитевидных кристаллов SiC, вопросы, касающиеся причин образования глобул, их строения и роли в процессе роста, до сих пор остаются неясными. [25]
Однако недавно Мелмед и Гомер [365-367] показали, что благодаря накоплению новых данных о механизме роста нитевидных кристаллов [368] оказалось возможным изучать таким методом почти любой токопроводящий материал. [26]
При температуре процесса ниже, чем граничная для образования пи-роуглерода, происходит каталитическое разложение углеводорода и рост нитевидного кристалла углерода. Причем диаме - ip нитевидного кристалла строго детерминирован параметрами реакции каталитического дегидрирования углеводорода ( температура, относительное содержание углерода в исходном углеводороде, скорость подачи углеводорода), определяющими скорость образования углеродных отложений. Изменение условий реакции приводит к изменению скорости выхода углерода и, соответственно, к построению нитевидного кристалла диаметром, отличающимся от первоначального. Это является причиной нарушения когерентности границ существующего и вновь образованного кристалла и, как следствие, отрыва металла от углеродной нити, и прекращения ее роста. На оторвавшемся фрагменте металла имеются продукты развития волокна с первоначальным и изменившимся диаметром, поэтому рост основной нити не происходит. [27]
Для оловянных покрытий, полученных электролитическим методом, при хранении луженых деталей характерен самопроизволь - ный рост нитевидных кристаллов олова, достигающих в длину до 5 мм. Нитевидные кристаллы могут привести к коротким замыканиям при эксплуатации электрорадиотехнической аппаратуры. [28]
Ниже по потоку расположена камера кристаллизации 6 с нагревом от автономного источника, где предусмотрена возможность создания и регулирования перепада температур между зонами реакции и роста нитевидных кристаллов. [29]
С использованием методов рентгенофазового анализа ( РФА), ИК и Раман-спектроскопии, установлено, что в результате MOCVD процесса разложения п - ВщОе в стационарных условиях рост нитевидных кристаллов германия сопровождается образованием углеродсодержащих оболочек, состав которых претерпевает ряд последовательных превращений. А так как германий не образует устойчивых карбидов германия, то процесс термического разложения п - ВщОе протекает путем разделения германия и углерода, при этом примесь углерода мигрирует из твердой системы германий-углерод на поверхность и образует непрерывную оболочку из аморфного углерода в виде сплошной пленки, плотно облегающей нитевидный кристалл германия. [30]