Рост - нитевидный кристалл
Cтраница 3
 |
Микрофотографии нитевидного кристалла серебра ( по А. Г. Самарцеву. [31] |
XV, эта особенность роста нитевидного кристалла в некоторых случаях объясняется тем, что свежеобразованная поверхность кристалла пассивируется в результате адсорбции ПАВ из раствора. Если скорость возникновения новой поверхности меньше скорости пассивирования, то дальнейшее выделение металла на этой поверхности становится затруднительным. [32]
Установлен полезный эффект от повышенного содержания свинца в составе покрытия, вызванный тем, что свинец не растворяется в интерметаллических соединениях олова. Диффундируя сквозь них, он размягчает слой и нарушает условия для роста нитевидных кристаллов олова, которые спонтанно вырастают при длительном хранении. Они могут выдерживать ток до 10 мА, вызывая короткое замыкание в маломощных сигнальных цепях. Чем больше свинца в оловянно-свинцовом покрытии и чем меньше внутренние механические напряжения в нем, тем труднее образование нитевидных кристаллов олова. Надежным способом устранения указанных опасных явлений служит оплавление покрытия ( см. гл. [33]
Показано, что осаждение покрытий из паровой фазы является сложным многостадийным процессом, включающим стадии, которые контролируются явлениями массо - и теплопереноса, адсорбции и десорбции, собственно стадию химической реакции термораспада метал-лоорганических соединений, а также стадии формирования твердой фазы и кристаллизации. Отмечено, что образование слоистых и столбчатых структур, так же как и рост крупных и нитевидных кристаллов, есть проявление нелинейных кинетических закономерностей в условиях, далеких от термодинамического равновесия. В таких случаях возникает неравновесная термодинамическая устойчивость металлорганического соединения по отношению к процессу распада, однако эта устойчивость соответствует достижению системой стационарного состояния, которое в общем случае может не быть устойчивым во времени и пространстве. [35]
Зависимость lg ( vR) от обратной температуры для восходящей ветви оказывается линейной. Таким образом, результаты работы [329] позволили сделать вывод о том, что теория роста нитевидных кристаллов, разработанная для того случая, когда кристалл растет в окружении своего пара, применима также к кристаллам, получение которых сопровождается химическими реакциями. [36]
Таким образом, на основании обобщения вышеизложенного, может быть предложен следующий механизм образования углерода на никелевом катализаторе. При температуре процесса ниже, чем граничная для образования пироурлерода, происходит каталитическое разложение углеводорода и рост нитевидного кристалла углерода. Примем диаметр нитевидного кристалла строго детерминирован параметрами реакции каталитического дегидрирования углеводорода ( температура, относительное содержание углерода в исходном углеводороде, скорость подачи углеводорода), определяющими скорость образования углерода. [37]
Вода-попадает в поры при закалке. Тонкая пленка влаги образуется при колебаниях окружающей температуры. Условия роста нитевидных кристаллов гидроксидов реализуются во время различных технологических нагревов полуфабрикатов и деталей. [38]
Скорость роста нитевидных кристаллов связана с природой металла или сплава, на которые наносятся локрытия. Так, наибольшая скорость роста кристаллов наблюдается в случае осаждения олова на цинк, латунь или медь, или на латунные и медные подслой. Оплавление оловянных покрытий затормаживает рост нитевидных кристаллов олова. [39]
Морфологические особенности пленок в значительной степени определяются температурой подложки. Байлендер [89] при разложении четыреххлористого кремния наблюдал рост нитевидных кристаллов при температуре около 900 С, образование фигур, подобных фигурам травления, в области 950 - 1100 С и развитие волнистой поверхности при температурах выше 1150 С. [40]
Рост кристаллов, вероятно, связан не с галлиевыми каплями, а с наличием неконтролируемых примесей, которые растворяются галлием при его осаждении на торце кристалла. Необходимо отметить, что механизм Сирса объясняет лишь доставку питающего материала к растущему участку. Механизм ПЖК не опровергает, а предполагает поверхностную диффузию, иначе объяснить значительные скорости роста нитевидных кристаллов невозможно. [41]
В этих экспериментах было установлено образование и последующий рост нитевидных кристаллов алмаза. Скорость их роста зависит от температуры, давления и некоторых других параметров. Поскольку плотность лучистого потока, применяемого для нагрева кристалла, существенно неоднородна, в процессе роста нитевидных кристаллов условия существенно меняются. Так, при образовании нитевидного кристалла длиной 400 мкм облученность его основания и вершины иногда различалась вдвое. [42]
Возможность роста нитевидных кристаллов алмаза под каплями металлов по механизму VLS экспериментально доказана. Кроме того, в самых чистых условиях проведения экспериментов, ся графит будет служить своего рода примесью, блокирующей рост нитевидного кристалла алмаза. [43]
При свободном росте на катоде единичного кристалла или системы разобщенных кристаллов самопроизвольно поддерживается условие / / S / C, где / - сила тока, S - - величина поверхности, на которой происходит выделение металла, а К - постоянная, зависящая от природы металла и состава раствора. Это соотношение говорит о том, что в данном растворе, независимо от величины общего тока в цепи ячейки, скорость отложения вещества на грани сохраняется постоянной. Этот закон подтверждается опытами Атена и Берлаге, установивших, что количество кристаллов на катоде пропорционально силе тока, а также опытам А. Т. Ваграмяна, К. М. Горбуновой и А. И. Жуковой, исследовавших закономерности роста нитевидных кристаллов. [44]
При хлоридном методе с повышением температуры: растет скорость наращивания совершенной энитаксиальной пленки, так как при этом увеличиваются скорости миграции атомов полупроводника по подложке и они быстрее занимают соответствующие места в кристаллической решетке. Скорость роста пленки в зависимости от температуры следующая: при 1100 С - 0 1 мкм / мин, при ilG004C - 1 0 мкм / мин, при ( 1270 С - до 5 0 мкм / мин. С под микроскопом наблюдается рост нитевидных кристаллов, при 950 - 1100 С - треугольник фигур, а при температуре выше 1150 С поверхность пленки принимает волнистый характер. [45]
Страницы: 1 2 3 4