Рост - окисная пленка
Cтраница 4
Очевидно, присутствие в разрядной трубке озона ( или атомарного кислорода) должно приводить к ускоренному, по сравнению с окислением в воздухе, росту окисной пленки. [46]
Рекомендуемые выше расчетные зависимости ( 4 - 125) - ( 4 - 128) позволяют, не производя постановки трудоемких экспериментов, получать информацию по росту окисных пленок на металлических поверхностях. [47]
В реальных процессах окисления металлов часто наблюдаются как нарушения приведенных выше зависимостей Ag / ( т) вследствие ряда факторов, осложняющих процесс ( нарушение сплошности пленки за счет роста внутренних напряжений и др.), так и более сложные зависимости, которые описывают процесс роста окисной пленки во времени. [48]
В реальных процессах окисления металлов часто наблюдаются нарушения приведенных выше зависимостей Ат / ( т) вследствие ряда факторов, осложняющих процесс ( нарушение сплошности пленки внутренними напряжениями, возникающими при росте защитной пленки или изменении температуры, и др.), а также более сложные зависимости, которые описывают процесс роста окисной пленки во времени. [49]
 |
Характер изменения напряжения.| Характер изменения погрешности следования сельсинов в процессе хранения. [50] |
Длительное хранение оказывает неблагоприятное воздействие на работоспособность щеточно-коллекторного узла. Вследствие роста окисной пленки на коллекторных пластинах ( кольцах) увеличивается переходное сопротивление между щеткой и коллектором, что приводит к нестабильности контакта или полной его потере. В этом случае двигатели могут иметь высокое напряжение трогания или не будут запускаться; существенно ухудшается точность следящих и решающих систем, построенных на ИЭМ. [51]
Лучшие по коррозионной стойкости сплавы обладают наименьшими толщинами критических окис-ных пленок, независимо от испытательной среды. Процесс роста критических окисных пленок для сплавов, где Be: Nb l: 3 и Be: Nbl: 1, протекает, примерно, одинаково. [52]
На поверхности кремния происходит реакция P2Os Si - - SiO2 P. По мере роста окисной пленки фосфорный ангидрид диффундирует к границе раздела SiO2 - Si и выделяется в виде атомарного фосфора. Аналогичные реакции и явления протекают и при диффузии бора. Это локальный источник примеси должен быть удален путем стравливания перед процессом разгонки. [53]
Величина этого барьера зависит от количества электронов, перешедших из металла ( туннельный эффект) и объема окисной пленки на внешнюю поверхность последней в результате хемосорбции кислорода на ней. В начальных стадиях роста окисной пленки на границе окисел-газ преобладает переход туннельных электронов, а начиная с некоторой толщины, - электронов из объема пленки. Следовательно, величина хемосорбционного барьера зависит от толщины окисной пленки. [54]
При изучении закона роста окисных пленок в чистом сухом кислороде при обычной температуре возникает затруднение в получении металлической поверхности, совершенно свободной от окиси до начала опыта. После конденсации наблюдалось самопроизвольное увеличение прозрачности вследствие некоторых кристаллизационных изменений ( или, может быть, вследствие неизбежных следов кислорода. Однако после того, как прозрачность установилась, был дан доступ воздуху или кислороду, после чего произошло новое увеличение прозрачности, которое можно, несомненно, приписать окислению. Оно происходило вначале быстро, но постепенно замедлялось, как это показано на фиг. [55]
Страницы: 1 2 3 4