Рост - потенциал
Cтраница 3
 |
Стационарные гальваностатические кривые для графитовых анодов в условиях получения хлората натрия при 40 С. [31] |
Все факторы, способствующие росту потенциала анода до критического значения, вызывают ускоренное разрушение графитового анода. [32]
 |
Зависимость потенциала графитового анода от плотности тока в электролите, содержащем ПО-115 г / л NaCl, 520 г / л NaCiCb и 25 г / л Na2CrO4 при РН 5 8 - 6 2 и 40 С. [33] |
Все факторы, способствующие росту потенциала анода до критического значения, вызывают ускоренное разрушение графитового анода. В частности, повышение плотности тока до 1 кА / м2 приводит к существенному увеличению износа графитовых электродов. [34]
При увеличении тока с ростом потенциала повышается количество продукта - катализатора, ускоряющего процесс, что придает ему автокаталитический характер. Отвечающая такому процессу полярографическая волна имеет очень большую крутизну, которая зависит от рН и буферной емкости раствора. [35]
Аг и ускоряется с ростом потенциала. [36]
 |
Вольт-амперные характеристики МДП-транзнстора, построенные по ( 5 - 79 ( сплошные линии и по ( 5 - 81 ( пунктир. [37] |
Как видим, с ростом потенциала Un коэффициент ii уменьшается. [38]
 |
Вольт-амперные характеристики МДП транзистора, построенные по ( 5 - 79 ( сплошные линии и по ( 5 - 81 ( пунктир. [39] |
Как видим, с ростом потенциала Un коэффициент т) уменьшается. [40]
Уменьшение концентрации NaCl приводит к росту потенциала выше критического и усиливает разрушение графита. [41]
 |
Изменение защитного действия ингибиторов коррозии в сточной воде девонского типа в зависимости от их концентрации и условий ввода в среду. Добавка. [42] |
Тот факт, что с ростом потенциала в положительную и особенно в отрицательную сторону восходящие ветви кривой дифференциальной емкости заметно раздвигаются, указывает на возникновение весьма прочной связи между молекулами ингибитора и металлом. Роль углеводорода в повышении экранирующих свойств защитной пленки здесь весьма велика. [43]
С другой стороны, такой же рост потенциала латуни 70 - 30, подвергнутой сильной холодной обработке, наблюдается после растворения большего количества цинка, ибо в этом случае цинк может более свободно диффундировать к поверхности. [44]
С другой стороны, такой же рост потенциала латуни / 0 - 30, подвергнутой сильной холодной обработке, наблюдается после растворения большего количества цинка, ибо в этом случае цинк может более свободно диффундировать к поверхности. [45]
Страницы: 1 2 3 4