Cтраница 2
![]() |
Эпюры токов в цепях базы ( я и коллектора ( в и кривые распределения неосновных носителей в базе транзистора ( б. [16] |
Однако рост тока / к ограничен резистором RK в цепи коллектора. [17]
Некоторый рост тока в режиме насыщения объясняется следующим образом. [18]
![]() |
Эпюры токов в цепях базы ( я и коллектора ( в и кривые распределения неосновных носителей в базе транзистора ( б. [19] |
Однако рост тока / к ограничен резистором RK в цепи коллектора. [20]
Некоторый рост тока в режиме насыщения объясняется следующим образом. [21]
![]() |
Распределение потенциала по прямонакальному катоду. [22] |
Поэтому рост тока начинает замедляться при анодном напряжении, меньшем напряжения, соответствующего полному насыщению. [23]
Этот рост тока, отмечавшийся в литературе [3, 4], можно объяснить тем, что в верхней части мениска и в пленке, имеющей микронную толщину, диффузия газа через раствор к поверхности электрода облегчена. [24]
![]() |
Изменение температурной зависимости термо-э. д.с. термопары C / TiC. [25] |
Однако рост тока эмиссии ограничивается температурой 1700 С. [26]
![]() |
Динамическая ВАХ свободной дуги в аргоне при частоте изменения тока не более 1 кГц ( а. не более 10 кГц ( б. не более 100 кГц ( в. [27] |
С ростом тока и расхода газа постоянная времени дуги 6Д уменьшается. [28]
С ростом тока напряжение на эмиттере уменьшается. При токе через эмиттер, равном / ВЫКл нижний участок стержня насыщается. Его сопротивление перестает уменьшаться Увеличение эмиттерного тока в этих условиях вызывает небольшое увеличение напряжения на эмиттере, что соответствует второму восходящему участку в. [29]
![]() |
Вольт-амперная характеристика электрического разряда в газах. [30] |