Рост - ток
Cтраница 5
 |
Зависимость ft2i6 от тока эмиттера ( а, от напряжения на коллекторе ( б и изменение концентрации носителей в базе ( в при изменении V ( / эconst. [61] |
С ростом тока эмиттера инжекцион-ный ток ( - ехр qVjkT) растет быстрее рекомбкнацион-ного ( - exp q / 2kT) и у увеличивается. [62]
С ростом тока эмиттера в соответствии с выражением (4.14) увеличивается напряженность внутреннего поля базы, движение дырок на коллектор становится более направленным, в результате уменьшаются рекомбинационные потери на поверхности базы, возрастает коэффициент переноса v, а следовательно, и а. При дальнейшем увеличении тока эмиттера снижается коэффициент инжекции и растут потери на объемную рекомбинацию, поэтому коэффициент передачи тока а начинает уменьшаться. [63]
С ростом тока эмиттера коэффициент передачи тока базы вначале повышается вследствие увеличения напряженности внутреннего поля базы, ускоряющего перенос дырок через базу к коллектору и этим уменьшающего рекомбинационные потери на поверхности базы. [64]
Страницы: 1 2 3 4 5