Рост - центр
Cтраница 2
Для малых центров существенной является роль поверхностного натяжения, которое затрудняет процесс роста центра, смещая температуру равновесия фаз в область более низких температур. [16]
При увеличении выдержки рекомбинация частично происходит до окончания экспонирования, в результате чего рост центров скрытого изображения происходит преим. [17]
 |
Изменение функции распределения / ( т, т во времени для р тк 10 ( а и пгк 4 ( б. [18] |
Ответ на него может быть получен на основе специального исследования кинетики и механизма роста центров новой фазы. [19]
Процесс сводится к тому, что графитизация протекает диффузионным путем - путем зарождения и роста графитовых центров. Значительную роль в этом процессе играет кремний. В чистых полученных синтетически железоуглеродистых сплавах без кремния графитизация практически не протекает. [20]
Таким образом, учет собственно кинетики превращения приводит при малых t к постоянной скорости роста центра, определяемой переохлаждением. [21]
Во многих из этих реакций небольшие количества примесей играют важную роль в процессе образования и роста центров реакции. [22]
 |
Кривые ток - время при осаждении а - РЬОз на полированных платиновых электродах в растворах 0 1 М РЬАс2, 1 М NaAc, 1 М НАс. [23] |
Основной потенциал, при котором проводили исследование, был достаточно мал, чтобы допустить релаксацию роста центров, но достаточно велик, чтобы поддержать стабильность процесса осаждения. [24]
Учет зависимости теплофизических характеристик от температуры не меняет принципиальных выводов теории, согласно которым на начальном этапе роста центра решающим является процесс собственно кристаллизации у границы раздела фаз, а в дальнейшем доминирующим становится теплопередача в объеме расплава. [25]
Фишер, Холломен и Тарнбалл [15] показали, что при температурах выше температуры плавления отсутствует тенденция к росту центров кристаллизации, которые состоят из небольшого числа упорядоченных сегментов цепи, и лишь при охлаждении расплава ниже температуры плавления любой центр кристаллизации, величина которого больше критической, начинает расти. [26]
Для вторичной кристаллизации: характерны те же закономерности, что и для первичной: кристаллизация идет путем зарождения и роста центров новой фазы, а течение этих процессов и размеры образовавшихся кристаллов зависят от степени переохлаждения. Однако вторичная кристаллизация имеет свои особенности, связанные с тем, что новая фаза появляется в среде с высокой упругостью и имеет другой удельный объем. [27]
 |
Кривая пересыщения, соответствующая большой области мета-стабильности.| Кривая пересыщения, соответствующая небольшой области метастабильности. [28] |
Очевидно, что гранулометрический состав осадка должен определяться относительной скоростью двух процессов: 1) образования центров кристаллизации и 2) роста центров кристаллизации. Согласно Оствальду18, пересыщенный раствор может быть метастабильным; иначе говоря, он может оставаться в гомогенном состоянии бесконечно долго, до тех пор, пока в него не введут подходящую затравку с центрами кристаллизации. [29]
Как известно, энергетическое состояние конденсирующегося пара влияет на процесс миграции адсорбированных атомов по поверхности подложки, а следовательно, на образование и рост центров конденсации. Отрицательный потенциал на подложке создает энергетический барьер для отрицательно заряженных ионов ( например, Оз или комплексов СгО -), ориентированных отрицательным зарядом к подложке. [30]
Страницы: 1 2 3 4